- 当今的小型家电，如洗碗机、烘干机、电炉等用开关电源代替了体积笨重的线性电源。工程师对这些电流从50mA~1A的电源进行了测试，一般使用电阻或标准现成的电负载。工程师会使用各种大功率电阻来检验多种负载条件以满足合适的设计。多数标准的电负载都是针对平均300W功率的。在测量50mA ~ 300mA电流时，显示结果并不准确，多数显示为0.1A，那样低的电流不能保证精度。还可以使用图1中的简单双恒流负载设计，这种设计可以利用廉价的通用元件来构建电路。 负载电流流过MOSFET和一个 1Ω
- 关键字：模拟技术电源技术双恒流载荷MOSFET运算放大器放大器
- 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 再次荣获《今日电子》杂志的十大 DC-DC 2007产品大奖，获评审小组肯定而胜出的产品是飞兆半导体全面优化的集成式12V驱动器加MOSFET功率级解决方案FDMF8700。飞兆半导体的30V同步降压转换器芯片组FDS6298和FDS6299S则于2006年获得相同奖项。 FDMF8700将驱动器IC和两个功率MOSFET集成在一个节省空间的8mm x 8mm的56脚M
- 关键字：消费电子飞兆半导体FDMF8700MOSFET消费电子
- 飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)近日推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD(HBM)电压保护，较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的最新架构。利用飞兆半导体的PowerTrench工艺，这些低导通阻抗(RDS(ON))MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能够降低传导损耗并且延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力，确保电池组在意外的电压尖峰冲击下
- 关键字：嵌入式系统单片机飞兆MOSFETFDS881XNZ嵌入式
- 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV 的ESD (HBM) 电压保护，较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用 (如笔记本电脑和手机) 的最新架构。利用飞兆半导体的Power Trench®工艺，这些低导通阻抗 (RDS(ON)) MOSFET (包括RDS(ON)&
- 关键字：模拟技术电源技术飞兆半导体MOSFETESD模拟IC电源
- 1 引言 人类的经济活动已经到了工业经济时代，并正在转入高新技术产业迅猛发展的时期。电源是位于市电（单相或三相）与负载之间，向负载提供优质电能的供电设备，是工业的基础。 电源技术是一种应用功率半导体器件，综合电力变换技术、现代电子技术、自动控制技术的多学科的边缘交叉技术。随着科学技术的发展，电源技术又与现代控制理论、材料科学、电机工程、微电子技术等许多领域密切相关。目前电源技术已逐步发展成为一门多学科互相渗透的综合性技术学科。他对现代通讯、电子仪器、计算机、工业自动化、电力工程、国防及某些
- 关键字：模拟技术电源技术创新高频MOSFET模拟IC电源
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
- 关键字：MOSFET德州仪器
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- 关键字：MOSFET德州仪器
- NEC电子近日完成了8款用于汽车的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)小型封装产品的开发，并将于即日起开始发售样品。 此次推出的新产品主要用于继电器、电机等通过电流为数十安培的控制单元，其中NP50P04等4款产品为40V耐压、导通阻抗为业界最低的产品；另外4款产品与现有的60V耐压品相比，导通阻抗最大可减至一半。 对于汽车厂商及器件厂商等用户而言，使用低导通阻抗产品可以减少电流流经时产生的热量，从而减轻电路设计时的负担。 新产品的样品价格因耐压及导通阻抗的不同而有
- 关键字：NEC电子MOSFET汽车电子
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
- 关键字：MOSFET
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- 关键字：MOSFET美国国家半导体
- 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H，采用双DPAK封装，提供业界领先的散热能力，有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。FDD8424H专为半桥和全桥逆变器设计而优化，是液晶电视、液晶显示器所用背光单元 (BLU) 以及电机驱动和电灯驱动的理想选择。与采用8引脚直插和双SOIC (SO8) 封装的替代解决方案相比，双DPAK封装FDD8424H的热阻抗分别是其五分之一及十分之一。此外，FDD8424H在
- 关键字：MOSFET单片机飞兆半导体嵌入式系统
- 飞兆半导体推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H，采用双DPAK封装，提供业界领先的散热能力，有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。FDD8424H专为半桥和全桥逆变器设计而优化，是液晶电视、液晶显示器所用背光单元 (BLU) 以及电机驱动和电灯驱动的理想选择。与采用8引脚直插和双SOIC (SO8) 封装的替代解决方案相比，双DPAK封装FDD8424H的热阻抗分别是其五分之一及十分之一。此外，FDD8424H在单一封装中集
- 关键字：FairchildLCD设计MOSFET电源技术模拟技术液晶显示LCD
- Vishay(威世)近日宣布推出可提供2A峰值汇和源栅极驱动电流的高频75V半桥式n通道MOSFET驱动IC。这款新型SiP41111适用于通常需要40V或60V电压的汽车应用。该75VMOSFET驱动器可用于汽车中的高强度放电管，以及各种终端产品中的高压降压转换器、推拉式转换器、全桥与半桥式转换器、有源钳位正向转换器、电源、电机控制及D类音频系统。 该款SiP41111具有75V的最大自举电源电压，可适应9V～13.2V的宽泛电源电压范围，能够以10ns的典型升降时间驱动1,000pF的负载。
- 关键字：ICMOSFETVishayn电源技术模拟技术
- 4月20日讯,半导体制造商ROHM株式会社（总社设在京都市）最近开发出适合汽车驾驶导向系统、便携式DVD机、笔记本电脑、游戏机等小型、薄型机器的电源开关和电动机驱动器使用的MPT6 双元件系列产品，这种产品采用独创的小型大功率封装，是低导通电阻的元器件。这种产品从2007年4月开始逐步供应样品；预定从2007年8月开始以月产300万个的规模大量生产。生产过程的芯片工序在ROHM筑波株式会社（茨城县）进行；包装工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) CO., LTD. （
- 关键字：MOSFETMPT6ROHM电源技术模拟技术封装
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [
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