- Intersil公司的ISL65426是一款高效率双输出单向同步降压稳压器，输入电压范围为2.375V至5.5V。该单芯片电源解决方案提供2个输出电压，可以在1V至电压电源的80%的范围内进行选择或者进行外部调节，并且总输出电流高达6A。2个PWM是180o异相同步的，降低了EMI和有效值输入电流与纹波电压。 ISL65426的独特电源模块架构允许对6个电流高达1A的模块进行分配，以便支持4个输出配置选项之一。一个主电源模块与各个同步转换器通道相关联。4个浮动从电源模块允许用户将其分配给任一条通
- 关键字：MOSFET电源技术模拟技术双同步降压稳压器
- ZXMS6002/3是采用SOT223封装的低端自保护MOSFET，它可通过独立状态引脚提供诊断反馈，有效地提高汽车和工业性高压系统的可靠性。 最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET产品系列的新成员，均属于60V、500mΩ 额定值的N沟道器件，特别适用于高浪涌电流的开关负载，如电灯、电机及电磁铁。 ZXMS6002G具有针对过热、过流和过压故障的保护功能，可提供正常、限流和热关断等不同模式的模拟指示，无需外部元件。这种诊断功能有助于实现智能的
- 关键字：MOSFETZXMS6002/3工业控制工业控制
- Zetex Semiconductors (捷特科) 公司推出首款采用SOT223封装的低端自保护MOSFET，它可通过独立状态引脚提供诊断反馈，有效地提高汽车和工业性高压系统的可靠性。 最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET产品系列的新成员，均属于60V、500mΩ 额定值的N沟道器件，特别适用于高浪涌电流的开关负载，如电灯、电机及电磁铁。 ZXMS6002G具有针对过热、过流和过压故障的保护功能，可提供正常、限流和热关断等不同模
- 关键字：MOSFETZetex单片机嵌入式系统封装
- 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N沟道MOSFET，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板 (PDP) 应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的PowerTrench® 工艺技术，这些MOSFET比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值为22.9毫欧；FDB2710的典型值为36.3 毫欧)。超低的RDS(on) 加上极低
- 关键字：MOSFET单片机飞兆嵌入式系统
- 摘 要：本文简述了RF 功率 MOSFET器件的应用，分析了以LDMOSFET工艺为基础的RF 功率 MOSFET的功能特性、产品结构和制造工艺特点。文中结合6寸芯片生产线，设计了产品的制造工艺流程，分析了制造工艺的难点，并提出了解决方案。关键词：RF 功率 MOSFET；LDMOSFET；器件结构；制造工艺 引言RF 功率 MOSFET的最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。直到上世纪90年代中期，RF功率MOSFET还都是使用硅双极型晶体管或GaAs MOSFET
- 关键字：LDMOSFETMOSFETRFRF专题电源技术功率模拟技术器件结构制造工艺
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
- 关键字：LDOICMOSFET
- 模拟信号处理及功率管理解决方案供应商 Zetex Semiconductors 近日推出三款为有限驱动电压应用设计的N 沟道增强模式 MOSFET。 这三款新产品分别为 20V 的ZXMN2B03E6 （SOT236封装）、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F（两者均为SOT23封装）。这些器件均具有1.8VGS条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2V 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可
- 关键字：MOSFETZetex超低栅极驱动电源技术模拟技术
- 能够驱动工业应用中高达 30A/1200V 的 MOSFET FOD3180/FOD3181与飞兆半导体领先业界的功率产品系列相辅相成， 为设计人员提供由毫瓦至千瓦的完整功率解决方案 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 领先业界的功率产品系列又添新成员，宣布推出高频光隔离MOSFET栅极驱动器系列的全新产品，能够在工业应用中驱动高达30A/1200V的MOSFET。FOD3180 (2A) 和F
- 关键字：MOSFET单片机飞兆半导体光隔离嵌入式系统栅极驱动器
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- 关键字：MOSFET
- 传统上，开关电源（SMPS）是用一个基本的模拟控制环路来实现的，但数字信号控制器（DSC）技术的最新发展使得采用全数字...
- 关键字：反馈MOSFET驱动
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- 关键字：IGBTMOSFET汽车
- 英飞凌推出新一代MOSFET节能器件，助力电源制造商实现能效目标 英飞凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）日前发布应用于计算机、电信设备和消费电子产品的直流/直流变换器的新一代功率半导体产品家族。全新的OptiMOS® 3 30V N沟道MOSFET家族可使标准电源产品的可靠性和能源效率提高1%至1.3%，并在导通电阻、功率密度和门极电荷等主要功率转换指标上达到业界领先水平。 许多电源产品，如用于服务器、笔记本电脑、等离子或液晶电视以及游戏机的电源产
- 关键字：MOSFET电源技术节能器件模拟技术英飞凌
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- 关键字：MOSFET
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- 关键字：MOSFET
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [
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