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盈利能力大增，估值较低的存储龙头被看好？

5月30日兆易创新宣布，公司Flash产品累计出货量已超过190亿颗，年出货量超过28亿颗，目前兆易创新在NOR Flash领域已成为中国第一，全球第三，2020年兆易创新NOR Flash产品市场份额达到17.8%。除了NOR Flash存储芯片，兆易创新业务还包括DRAM存储芯片以及存储器和MCU，在过去一段时间行业普遍缺芯的背景下，兆易创新的营收与净利润均实现大幅增长，2021年和2022年一季度公司营收分别增长89.25%和165.33%，归母净利润分别增长39.25%和127.65%。目前芯片行
关键字：兆易创新 NAND Flash

2022年NOR Flash产值将成长21%至35亿美元

据IC Insights周二在《 The McClean Report 2022 》更新的数据显示， NOR Flash在2021年仅占整体闪存市场总额的4%，但NOR Flash产品的销售额飙升63%至29亿美元， NOR Flash 出货量增长了33%，平均售价则上涨23%。机构乐观预计NOR Flash市场将在2022年再增长21%至35亿美元。NOR Flash市场由华邦电、旺宏、兆易创新3家厂商主导，市占率共达 91%。该机构指出，去年华邦电NOR Flash销售额达10亿美元，市占率以35%居
关键字：兆易创新 NOR Flash

兆易创新：MCU只是个“过渡故事”

A股市场向来热衷炒作预期。投资者乐于为概念买单，愿意给一家公司提前多年的估值。国产半导体设计龙头兆易创新(SH:603986)，就曾是一个被预期打满的例子。2020年初，兆易创新市值一度突破1200亿。然而19年和20年，它才只有25亿和38亿营收。过度估值的结果就是，当抱团瓦解，两年之内兆易创新股价经历三次大起大落。图片：兆易创新刚到千亿市值，到如今来源：雪球当下，作为A股闪存设计龙头的兆易创新，再一次试图向千亿市值发起了冲击。这一次，它有什么新故事吗？01 基本面往事要想看清楚兆易创新的新故事，看清
关键字：兆易创新 NOR Flash

2021全球NOR Flash市场：兆易创新销售额暴增100%，份额升至23.2%

6月21日消息，半导体市场研究机构IC Insights发布的最新研究报告指出，2021年NOR Flash市场销售额虽然仅占整个Flash市场的销售额4%，但是2021年NOR Flash的出货量同比大幅增长了33%，同时平均售价也同比上涨了23%，使得NOR Flash总销售额同比暴涨了63%，达到了29亿元。根据IC Insights的预测， 2022年NOR Flash市场还将继续增长 21%，使得总销售金额达到35亿美元的新高，这也将头部的NOR Flash大厂直接受益。数据显示，华邦电子、旺宏
关键字：华邦电子旺宏兆易创新 NOR Flash

国际巨头把控全球存储市场，国内企业如何破局

根据断电之后数据是否依旧被保存对半导体存储器进行划分，半导体存储器可分为易失性存储器和非易失性存储器两大类。我们熟知的RAM（随机存取存储器）属于易失性存储器，其中RAM又可分为DRAM（动态随机存取存储器）与SRAM（静态随机存取存储器）。而ROM（只读存储器）和FLASH（闪存）则属于非易失性存储器，即断电之后存储器中的数据仍然能被保存的存储设备。据IC Insights预测，2022年、2023年全球存储芯片的市场规模将分别达到1804亿和2196亿美元，市场成长空间广阔。但在全球的存储芯片领域，市
关键字：兆易创新 NOR Flash

汽车缺芯带来确定性上涨，智能驾驶与物联网驱动兆易创新活力

作为国内 MCU 产商的领先公司，兆易创新将直接受益于 MCU 国产化，强化其领先地位，扩宽其成长潜力。全球汽车缺芯带来公司估值的上涨，智能驾驶与物联网带来全新的创新方向，国产化扩宽公司的成长潜力。1. 确定性与创新性是公司估值扩张最有力的保障半导体行业库存结构性紧张带来确定性的估值上涨。半导体存货紧张引起供应不足，带来市场的高景气。汽车电子市场需求旺盛，产业链冲击的持续与消费电子等芯片市场产能挤压共同影响，汽车芯片产能释放不及时，存货市场将带来公司估值确定性扩张。围绕最具活力的创新性方向扩张其估值。创新
关键字：兆易创新 MCU NOR Flash

中国DRAM和NAND存储技术和产业能赶超韩国吗?

近日，韩国进出口银行海外经济研究所（OERI）推算，韩国和中国在存储芯片领域的技术差距为：DRAM的差距约为 5年，NAND 的差距约为2年。该研究院分析，中国DRAM制造企业长鑫存储2022年将推进第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量产。三星电子等韩国企业计划在今年年末或明年批量生产第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM。考虑到每一代的技术差距为2年-2年半，两国之间的技术差距超过5年。据该研究院推测，在NAND闪存领域，中国与韩国的技术差距约为2年。中国存储芯片企业长江存
关键字：DRAM NAND

长江存储推出UFS 3.1高速闪存，加速5G时代存储升级

近日，长江存储科技有限责任公司（简称“长江存储”）宣布推出UFS 3.1通用闪存——UC023。这是长江存储为5G时代精心打造的一款高速闪存芯片，可广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR/VR等智能终端领域，以满足AIoT、机器学习、高速通信、8K视频、高帧率游戏等应用对存储容量和读写性能的严苛需求。UC023的上市标志着长江存储嵌入式产品线已正式覆盖高端市场，将为手机、平板电脑等高端旗舰机型提供更加丰富灵活的存储芯片选择。长江存储高级副总裁陈轶表示：“随着5G通信、大数据、AIoT的加速
关键字：长江存储 3D NAND

中国SSD行业企业势力全景图

全球范围看，2021-2023年存储芯片的市场规模将分别达到1552亿美元、1804亿美元及2196亿美元，增幅分别达到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市场规模约占56%，NAND Flash市场规模约占41%（IC Insights数据）。另外，根据CFM 闪存市场预计，2021年全球存储市场规模将达1620亿美元，增长29%，其中DRAM为945亿美元，NAND Flash为675亿美元。这两个调研机构的数据相近，相差100亿美元。目前，全球储存芯片市场主要被韩国、欧美以及
关键字：存储芯片 DRAM NAND Flash

长江存储SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s

这两年，长江存储无论是NAND闪存还是SSD固态盘，都呈现火力全开的姿态，从技术到产品都不断推陈出新。6月23日，长江存储有发布了面向OEM市场的商用SSD PC300系列，可用于笔记本、轻薄本、二合一本、一体机、台式机、物联网、嵌入式、服务器等各种场景，而且同时支持3.3V、1.8V SideBand电压，可适配更多平台。长江存储PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶栈架构的第三代3D NAND闪存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280两种形态规格
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存储芯片从落后20年，到追上三星、美光，中国厂商只花了6年

近日，有消息称，国内存储芯片大厂长江存储已向客户交付了192层堆叠的3D NAND闪存芯片。而预计在2022年底或2023年初，会实现232层堆叠的3D NAND闪存技术。这意味着国内存储芯片厂商，终于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片，而大规模量产和应用要到2022年底或2023年初去了。而三星预计也是在2022年内推出200层以上的3D NAND闪存芯片，而大规模应用也要到2023年去了。可见，国产存储芯片，在技术上确实已经追上了三星
关键字：长江存储 3D NAND

中国芯片传来捷报，长江存储取得技术突破，正式打破三星垄断

中国芯片传来捷报，长江存储取得重大技术突破，正式打破韩国三星垄断，目前已经完成192层3D NAND闪存样品生产，预计年底实现大规模量产交付。长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业，从成立之初就保持着高速稳定的发展状态，用短短3年的时间，接连推出了32层NAND闪存，以及64层堆栈3D NAND闪存，成功进入了华为Mate40手机的供应链。随后为了缩短和三星、SK海力士、铠侠等寡头企业的距离，长江存储直接越级跳过了96层，直接进入了128层3D NAND 闪存的研发，并成功在2020年正式宣布研发成功，它是
关键字：长江存储 3D NAND

国产存储芯片又取得突破，长江存储192层闪存送样，预计年底量产

头一段时间，有媒体报道称，长江存储自主研发的192层3D NAND闪存已经送样，预计年底实现量产。长江存储一直是我们优秀的国产存储芯片企业，从成立之初便保持了一个高速的发展状态。2016年成立，2017年便推出了32层NAND闪存。2019年，推出64层堆栈3D NAND闪存，并成功进入了华为Mate40手机的供应链。为了缩短与三星、SK海力士、铠侠等行业大厂的差距，长江存储跳过了96层，直接进行了128层3D NAND 闪存的研发，并在2020年正式宣布研发成功，它是业内首款128层QLC规格的3D N
关键字：长江存储 3D NAND

美光针对数据中心推出业界首款基于 176 层 NAND 的SATA SSD

内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布推出全球首款专为数据中心工作负载设计的基于 176 层 NAND 技术的SATA 固态硬盘 (SSD)。美光 5400 SATA SSD 是目前最先进的数据中心 SATA SSD产品，采用久经考验的第 11 代 SATA 架构，支持广范的应用场景，提供相比传统机械硬盘 (HDD) 显著提升的性能，并延长了 SATA 平台的使用寿命。美光副总裁暨数据中心存储产品总经理 Alvaro Toledo 表示
关键字：美光数据中心 176 层 NAND SATA SSD

SK海力士首次公开与Solidigm的“合作产品”

“独立子公司成立仅三个月，两家公司在事业上的合作全面开始”SK海力士和Solidigm首次公开了结合SK海力士128层NAND闪存与Solidigm的SSD控制器和固件的合作产品。SK海力士和Solidigm将继续优化两家公司的运营，以创造协同效应和合作伙伴关系。加州圣何塞和南韩首尔2022年4月5日 /美通社/ -- SK海力士和Solidigm（或“公司”， www.skhynix.com）今日首次公开了两家公司共同开发的新企业级SSD（eSSD）产品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年
关键字：SK海力士 Solidigm eSSD NAND

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nand flash介绍

　Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。　　NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [ 查看详细]