Imagination Technologies近日宣布公司已升级为RISC-V International高级会员并将继续致力于推动RISC-V生态系统的发展。在升级为高级会员后,Imagination计算部副总裁Shreyas Derashri将加入RISC-V International董事会。Imagination多年来一直活跃于RISC-V社区,最初通过广受欢迎的RVfpga培训课程推动RISC-V架构的教育。今年,公司发布了其首个商用RISC-V核——实时IMG RTXM-2200 CPU。此
关键字:Imagination RISC-V
北京时间12月14日早晨,在2022 RISC-V国际峰会上,阿里平头哥展示了RISC-V架构与安卓体系融合的最新进展:基于SoC原型曳影1520,RISC-V在安卓12(AOSP)上成功运行多媒体、3D渲染、AI识物等场景及功能。这意味着安卓系统在RISC-V硬件上得到进一步验证,两大体系融合开始进入原生支持的应用新阶段。在大部分基础功能成功实现后,RISC-V与安卓的融合进入应用验证领域,面临更多模块缺失、接口不一致等技术和系统挑战。比如在车载场景中,硬件层需重新设计总线以支持多路输入,系统层要兼容外
关键字:RISC-V 阿里平头哥 SoC 多路编解码
IT之家 12 月 13 日消息,据台媒 TechNews 报道,面对 RISC-V 积极开疆拓土,Arm 策略与行销执行副总裁 Drew Henry 在媒体分享会上表示,要正向看待良性竞争,而 Arm 长期建构下来的硬件效能、软件及开发工具所形成的庞大生态系是最大优势,也能满足产业需求。▲ 图源 ArmDrew Henry 表示,随着数据中心需求急剧增加,加上自动驾驶汽车、AI、物联网等新兴应用崛起,市场对于运算能力的要求越来越高,这也使得摩尔定律备受挑战。如今要靠单一技术延续摩尔定
关键字:RISC-V ARM 嵌入式
作为仅次于x86、ARM的第三大CPU架构,RISC-V凭借开源、免费的优势迅速发展,之前主要用于低功耗市场,但是现在也开始冲击高性能领域,Ventana公司日前已经做出了5nm 192核的芯片。Ventana公司日前发布了第一款产品Veyron V1,该公司研发了一种高性能RISC-V架构,每个CPU模块中有16个RISC-V内核,频率3.6GHz,整合48MB缓存,整个处理器可以集成12个CPU模块,做到192核,台积电5nm工艺生产制造,还有自己开发的高性能IO核心,延迟低至7ns,接近原生核心性能
关键字:RISC-V 5nm 192核
中端FPGA和片上系统(SoC)FPGA对于将计算机工作负载转移到网络边缘发挥着重要作用。Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)凭借其屡获殊荣的FPGA帮助推动了这一转变,现又推出首款基于RISC-V的FPGA,其能效是同类中端FPGA的两倍,并具有同类最佳的设计、操作系统和解决方案生态系统。Microchip将在2022年RISC-V峰会上展示该解决方案,并预览其PolarFire 2 FPGA硅平台和基于RISC-V的处理器子系统及软件套件路线图。Microchip还将
关键字:Microchip RISC-V峰会 RISC-V FPGA 空间计算
德国慕尼黑,2022年12月7日——处理器设计自动化和RISC-V处理器IP的领导者Codasip今日宣布成立Codasip实验室(Codasip Labs)。作为公司内部创新中心,新的Codasip实验室将支持关键应用领域中创新技术的开发和商业应用,覆盖了安全、功能安全(FuSa)和人工智能/机器学习(AI/ML)等方向。该实验室的使命在于识别和构建相关技术,以扩展定制计算的可能性,并加快具有定制化的、领域专用设计的差异化产品的开发,并缩短其上市时间。Codasip实验室将由公司创始人兼总裁马克仁(Ka
关键字:Codasip Codasip 实验室 IP RISC-V
11月29日,由港华集团名气家主办的“港华芯暨生态合作发布会”于苏州港华大厦顺利举行。名气家战略合作伙伴赛昉科技、微五科技、芯昇科技、爱旗科技、紫光展锐、移远通信、中国电信、中国移动的代表们通过线上线下共同参与。能源行业的数字化、智能化转型正全面提速,与此同时信息安全体系建设和完善也被提到前所未有的高度。随着国家出台《关键信息基础设施安全保护条例》,特别提出要重点保障包括能源行业在内的关键信息基础设施的安全。港华集团作为城市燃气基础设施服务商率先行动,以“港华芯”为抓手,致力于在筑牢行业数据安全“防火墙”
关键字:港华芯 安全芯片 RISC-V
中国上海——2022年11月23日——嵌入式开发软件和服务的全球领导者 IAR Systems 与领先的端侧 AI 芯片研发供应商嘉楠科技 (NASDAQ: CAN) 今天共同宣布,IAR Systems 最新推出的 Embedded Workbench for RISC-V 3.11.1版本已支持嘉楠勘智K510芯片,助力开发双核RISC-V 64位 AI 端侧推理芯片。IAR Embedded Workbench for RISC-V是一个完整的C/C++编译器和调试器工具链,将嵌入式开发者所需的一切
关键字:IAR Systems 嘉楠 RISC-V AI芯片
【2022年11月22日,德国慕尼黑讯】近日,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)宣布该公司最新推出的8 Mbit和16 Mbit EXCELON™ F-RAM存储器(铁电存取存储器)开始批量供货。该系列储存器是业界功率密度最高的串行F-RAM存储器,能够满足新一代汽车和工业系统对非易失性数据记录的需求,防止在恶劣的工作环境中丢失数据。新存储器的工作电压范围为1.71 V至3.6 V,借助低引脚数接口,该器件可支持高达54MBps的数据吞吐量,并且采用了符合RoHS标准
关键字:英飞凌 EXCELON F-RAM
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布,旗下面向工业和汽车领域的铜夹片FlatPower (CFP)封装二极管系列产品组合再添新产品。新增产品包括4个采用CFP3和CFP5封装的650 V、1 A器件,可应用于车载充电器(OBC)和电动汽车逆变器,以及工业应用中的功率转换器、PV逆变器和电源。标准产品包括PNU65010ER (CFP3)和PNU65010EP (CFP5),符合AEC-Q101标准的产品包括PNU65010ER-Q (CFP3)和PNU65010EP-Q (CFP5)
关键字:Nexperia,650 V,超快恢复整流管
瑞典乌普萨拉 - 2022 年 11 月 17 日 - 嵌入式开发软件和服务的全球领导者 IAR Systems® 宣布其最新版本的 IAR Embedded Workbench for RISC-V 3.11版现已完全支持 Andes Technology(晶心科技)旗下 AndeStar™ V5 RISC-V 处理器的 CoDense™ 扩展。CoDense™ 是处理器 ISA(指令集架构)的专利扩展,能够帮助 IAR 的工具链生成紧凑的代码,从而节省目标处理器上的闪存,而在之前版本中已实现支持的 A
关键字:IAR Embedded Workbench for RISC-V Andes CoDense
图源:东方IC芯片行业两家重量级企业Arm和高通的法庭诉讼进入攻防战阶段,而近期传出的相关消息,更有可能对全球芯片行业的发展带来极大的影响。高通在近期提交给法庭的一份证据中提到,Arm在与其他客户沟通时表示,高通所获授权在2024年到期后不再续签,这也意味着高通将不能再提供Arm架构的芯片。另外,所有获得Arm授权的半导体制造商将无法向OEM客户提供CPU外的其他SoC组件,包括GPU、NPU等,因为Arm计划将CPU许可证协议与这些组件的许可证协议打包在一起授权。这场诉讼源于高通2021年收购了芯片设计
关键字:RISC-V 龙芯中科 LoongArch架构
在“2019 阿里云峰会”上,阿里平头哥正式发布了当时业界最强的高性能RISC-V处理器内核——玄铁C910,引发了业界的广泛关注。实际上,早在2014年之时,平头哥副总裁孟建熠就已经开始关注RISC-V,2018年,平头哥成功研发一款低功耗的RISC-V内核玄铁E902。此后,平头哥持续深耕RISC-V领域,并迅速成为了RISC-V领域的领导厂商。11月3日,在杭州举行的“2022云栖大会”上,平头哥发布全新的RISC-V高能效处理器——玄铁C908。据介绍,玄铁C908计算能效全球领先,较业界同性能处
关键字:RISC-V 平头哥 玄铁C910
作为全球化的半导体企业,正如在2022年度闪存峰会和2022年度三星内存技术日上所承诺的,三星今日宣布,已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb(太字节)三比特单元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度,可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。三星电子第八代V-NAND,1Tb三星闪存产品与技术执行副总裁SungHoi Hu表示:"市场对更高密度、更大容量存储的需求,推动了V-NAND层数的增加,三星采用3D缩放(3
关键字:三星 V-NAND 存储密度
IT之家 11 月 7 日消息,虽然还没有发布任何实际产品,但三星电子现宣布已经开始大规模生产其 236 层 3D NAND 闪存芯片,该公司将其命名为第 8 代 V-NAND。新一代存储芯片可带来 2400MTps 的传输速度,当搭配高端主控使用时,它可使得消费级 SSD 的传输速度轻松超过 12GBps。据介绍,第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案,三星电子没有公开 IC 的大小和实际密度,不过他们称之为业界最高的比特密度。三星声称,与现有相同容量的闪存芯片相比,
关键字:V-NAND 闪存 三星
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