- 逆导型横向绝缘栅双极晶体管（RC-LIGBT）由于高电流密度、小封装成本等优点，成为了功率器件领域内主流器件之一，然而其会受到电压折回现象的不利影响。本文提出了一种基于绝缘体上硅技术的RCLIGBT器件，将续流二极管集成在位于埋氧层下的衬底，利用埋氧层的隔离特性实现了IGBT与续流二极管之间的电学隔离，进而实现了完全消除电压折回现象。
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