绝缘体上硅文章进入绝缘体上硅技术社区

550V无电压折回逆导型横向绝缘栅双极晶体管器件设计

逆导型横向绝缘栅双极晶体管（RC-LIGBT）由于高电流密度、小封装成本等优点，成为了功率器件领域内主流器件之一，然而其会受到电压折回现象的不利影响。本文提出了一种基于绝缘体上硅技术的RCLIGBT器件，将续流二极管集成在位于埋氧层下的衬底，利用埋氧层的隔离特性实现了IGBT与续流二极管之间的电学隔离，进而实现了完全消除电压折回现象。
关键字：逆导型横向绝缘栅双极晶体管电压折回现象绝缘体上硅导通压降关断损耗 202009

一种增大质量块的三轴MEMS加速度计的设计

　　冯堃，张国俊，王姝娅，戴丽萍，钟志亲（电子科技大学电子科学与工程学院，成都611731）　　摘要：介绍了一种增大质量块设计的三轴MEMS加速度计。该加速度计基于绝缘体上硅（SOI）硅片，采用双面光刻、干法刻蚀的工艺，利用了部分SOI硅片的底层硅部分来增大加速度计的质量块，设计了基于单一米字形质量块的三轴MEMS电容式微加速度计。根据不同的外界加速度对器件产生的不同位移，研究了在三个轴向的加速度计的灵敏度，同时分析了加速度计的交叉轴耦合的影响。最后结合Ansys仿真结果得出：所设计的微加速度计具有
关键字：202005 微机械系统三微加速度计高灵敏度绝缘体上硅

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绝缘体上硅介绍

　　绝缘体上硅（SOI，Silicon-on-insulator）被业界公认为纳米技术时代取代现有单晶硅材料的解决方案之一，是维持 Moore 定律走势的一大利器。绝缘体上硅是指以“工程化的”基板代替传统的体型衬底硅的基板技术，应用于诸如军事和空间电子系统等一些专门场合已有20多年，由于SOI具有良好的抗辐射性和高速特性，使它在这些领域具有独特的优势。　　SOI 材料是 SOI 技术发展的基础，S [ 查看详细]

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