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拨码开关在线使用可靠性研究

  • 拨码开关由于其特性,广泛运用于家电主控电路板。拨码开关失效存在3个方面因素:拨码开关弹片变形引发的接触导通问题;不当拨码动作造成器件内部结构形变;拨码开关内部腔体异物。本文从降低故障率提高质量的角度出发,对甲公司出现的质量问题进行了分析研究。
  • 关键字:202303拨码开关导通

导通缓震电路

  • 导通缓震电路•于开关导通期间降低开关之压降、减少切换损失险。•电流为线性增加:•开关之压降为:•开关之瞬时功率损失为•若无则开关于off状态时无法泄放电感L之能量,将损毁开关。...
  • 关键字:导通缓震电路

短路保护电路基于高压MOS/IGBT模块的设计

  • 带短路保护锁定的驱动的3脚为短路信号检测入端;2脚为驱动地;1脚为驱动输出。当电路存在短路的时候流...
  • 关键字:保护电路导通短路保护

LED照明驱动选择与设计技巧介绍

  • 一、LED驱动器通用要求LED的排列方式及LED光源的规范决定着基本的驱动器要求。LED驱动器的主要功能就是...
  • 关键字:驱动线性稳压器导通

谈开关电源的导通、截止与启动

  • 开关电源中的开关管从导通到截止,严格来说是一个非常复杂的过程,但我们在进行工作原理分析的时候,一般都会...
  • 关键字:开关电源导通截止启动

关于IGBT导通延迟时间的精确测量方法

  • IGBT以其输入阻抗高,开关速度快,通态压降低等特性已成为当今功率半导体器件的主流器件,但在它的使用过程中,精确测量导通延迟时间,目前还存在不少困难。在介绍时间测量芯片TDC-GP2的主要功能和特性的基础上,利用其优良的特性,设计一套高精度的IGBT导通延迟时间的测量系统,所测时间间隔通过液晶显示器直接读取,是一套较为理想的测量方案。
  • 关键字:IGBT导通精确测量方法

基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

  • 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程。
  • 关键字:MOSFET漏极导通开关过程

一种隔离型双向软开关DC/DC变换器

双线圈金属探测器电路

触摸式电器开关电路

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