首页 资讯 商机 下载 拆解 高校 招聘 杂志 会展 EETV 百科 问答 电路图 工程师手册 Datasheet 100例 活动中心 E周刊阅读 样片申请
EEPW首页>> 主题列表>> 开关特性

开关特性文章进入开关特性技术社区

杂散电感对SiC和IGBT功率模块开关特性的影响探究

  • IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop inductance）对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响，本文为第一部分，将主要讨论直流链路环路电感影响分析。测试设置双脉冲测试 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的设置来分析SiC和IGBT模块的开关特性
  • 关键字：杂散电感SiCIGBT开关特性

栅极环路电感对SiC和IGBT功率模块开关特性的影响分析

  • IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop inductance）对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响，本文为第二部分，将主要讨论栅极环路电感影响分析。（点击查看直流链路环路电感分析）测试设置双脉冲测试 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的设置来分析S
  • 关键字：IGBTSiC开关特性

浅析栅极电阻RG对IGBT开关特性的性能影响

  • 1 前言　　用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压(VG(on
  • 关键字：IGBT栅极电阻开关特性性能影响

一种单级式半桥功率因数校正电路

栅极电阻RG对IGBT开关特性的性能影响分析

  • 　1 前言　　用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压(VG(
  • 关键字：IGBT栅极电阻开关特性分析

D类MOSFT在发射机射频功放中的应用

共6条 1/11

开关特性介绍

您好，目前还没有人创建词条开关特性!
欢迎您创建该词条，阐述对开关特性的理解，并与今后在此搜索开关特性的朋友们分享。 创建词条

开关特性专栏文章

更多

热门主题

树莓派 linux
关于我们- 广告服务- 企业会员服务- 网站地图- 联系我们- 征稿- 友情链接- 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473