- IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop inductance）对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响，本文为第一部分，将主要讨论直流链路环路电感影响分析。测试设置双脉冲测试 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的设置来分析SiC和IGBT模块的开关特性
- 关键字：杂散电感SiCIGBT开关特性
- 影响IGBT和SiC MOSFET在系统中的动态特性有两个非常重要的参数：寄生电感和寄生电容。而本文主要介绍功率回路中寄生电感的定义和测试方法，包括直流母线电容的寄生电感，直流母排寄生电感以及模块本身的寄生电感。功率电路寄生电感在哪里？图1给出了半桥电路中不同位置寄生电感示意图，主要包括三类：连接母排及功率回路中的寄生电感，IGBT模块内部寄生电感，直流母线电容寄生电感，分别如下图中a、b、c所示。图1 半桥电路中三类寄生电感位置示意图1. 连接母排以及功率回路中的寄生电感连接母排以及功率回路中的寄生电感
- 关键字：英飞凌杂散电感
- IGBT技术不能落后于应用要求。因此，英飞凌推出了最新一代的IGBT芯片以满足具体应用的需求。与目前逆变器设计 ...
- 关键字：IGBT逆变器设计杂散电感
杂散电感介绍
目录 1 影响 2 对高效IGBT逆变器设计的影响 影响 IGBT技术不能落后于应用要求。因此，英飞凌推出了最新一代的IGBT芯片以满足具体应用的需求。与逆变器设计应用功率或各自额定电流水平相关的开关速度和软度要求是推动这些不同型号器件优化的主要动力。这些型号包括具备快速开关特性的T4芯片、具备软开关特性的P4芯片和开关速度介于T4和P4之间的E4芯片。 对高效I [
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