Nand-Flash、Nor-Flash及SDRAM介绍

嵌入式系统中Nand-Flash、Nor-Flash及SDRAM介绍

第一章 存储器
概述
存储器通常分为两类型，即随机存取的RAM与只读的ROM。随着存储器技术的发展和嵌
入式系统的要求一些新的混合型的存储器迅速发展起来，本章就目前广泛应用于嵌入式
系统中的新一代存储器Nand-Flash、Nor-Flash及SDRAM的基础知识进行介绍。
Flash
Memory内部构架和实现技术可以分为AND、NAND、NOR和DiNOR等几种，但目前以NAND和N
OR为主流。NOR技术是由Intel公司1988年首先推出，NAND技术是由东芝公司1989年发明
。NAND技术在设计之初是为了数据存储应用，NOR则是为了满足程序代码的高速访问，并
且支持程序在芯片内部运行。目前关于两种技术的发展前景讨论很激烈，各种观点很多
。客观来看，二者各有优势和不足。NOR工作电压低、随机读取快、功耗低、稳定性高；
而NAND则写回速度快、芯片面积小，特别是容量大有很大优势
由于NOR和NAND在存储单元组织上的差异，二者的寻址方式差异较大。NAND的地址分
为三部分:块号、块内页号、页内字节号。一次数据访问，NAND一般是经过三次寻址，先
后确定块号、块内页号和页内字节号，至少占用三个时钟周期，因此随机字节读写速度
慢。而NOR的地址线足够多，且存储单元是并列排布，可以实现一次性的直接寻址。另外
，由于NOR的数据线宽度很大，即使容量增大，它的数据寻址时间基本上是一个常量，而
NAND则比较困难。总之在数据传输速度上，NOR无论是在随机读取还是连续传输速度上都
比NAND快，但相对而言，在连续大数据传输速度上，二者差异较小。从产品成本来看，
NOR Flash的平均每MB成本是NAND
Flash成本的三到四倍。成本价格的巨大差异，导致NOR