IR 推出为 D 类应用优化的汽车用 DirectFET2 功率 MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 今天宣布推出汽车用 DirectFET®2 功率MOSFET系列,适合D 类音频系统输出级等高频开关应用。
本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/112064.htm新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件,拓展了 IR 适用于汽车 D 类音频系统的 DirectFET®2 功率MOSFET阵营,并利用低栅极电荷 (Qg) 作出优化,来改善总谐波失真 (THD) 和提高效率,而低二极管反向恢复电荷 (Qrr) 则进一步改善了总谐波失真,降低了电磁干扰 (EMI) 。
AUIRF7640S2 和 AUIRF7647S2 小罐器件的封装尺寸比 SO-8 小,更能够为没有散热片的 8Ω 负载提供每通道 100W 的功率,由此可以提供非常紧凑的 D 类解决方案,是节省多通道电路板空间的理想选择。AUIRF7675M2 中罐器件的封装尺寸比 DPak 小54% ,能够为没有散热片的 4Ω 负载提供每通道 250W 的功率,使其非常适合 D 类音频系统的亚低音输出级。
IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“新款 DirectFET®2 器件是对之前推出的 AUIRF7665S2 的补充,为设计师提供了适用 D 类音频系统不同功率等级的替代额定电压和导通电阻。”
正如所有的 DirectFET® 产品一样,新器件提供了最小的热阻抗以及寄生电阻和电感,能够提供出色的功率密度和双面冷却效率。
新器件符合 AEC-Q101 标准,是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的,所采用的环保材料既不含铅,也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
产品规格
器件编号
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封装
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Vds
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典型导通电阻
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最大导通电阻
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Rg(典型)
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栅极电荷(典型)
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AUIRF7640S2
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DF2小罐
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60V
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27mΩ
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36mΩ
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3.5Ω
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7.3nC
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AUIRF7647S2
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DF2小罐
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100V
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26mΩ
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31mΩ
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1.6Ω
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14nC
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AUIRF7675M2
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DF2中罐
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150V
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47mΩ
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56mΩ
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1.2Ω
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21nC
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数据表、应用说明和认证标准可浏览 IR 的网站 www.irf.com。IR 还准备了 Spice 和 Saber 模型供索取。
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