三星开发出新一代高速内存芯片

三星电子星期二称，它已经开发出了一种新的计算机内存模块，读写数据的速度是上一代内存芯片的一倍。

三星电子在声明中称，它将在2012年开始使用30纳米级的技术生产这种新的DDR4DRAM内存模块。

　　目前DRAM内存行业的主流产品是DDR3内存模块，其性能比DDR2产品有所提高。三星电子称，它是DRAM内存行业第一个开发出DDR4内存芯片的厂商。

　　三星电子补充说，这种新的内存芯片还将把电源消耗减少一半。与DDR3内存芯片相比，DDR4内存芯片的耗电量是1.2伏，数据传输速度为每秒2.133GB。而DDR内存芯片的耗电量是1.35伏或者1.5伏，数据传输速度为每秒1.6GB。