三星/东芝/美光试产 3D NAND Flash产出比重将大幅升高

　　储存型快闪存储器(NAND Flash)供应商争相加速3D NAND Flash发展，市调机构集邦科技预估，今年3D NAND Flash 产出比重可望自去年的6%，大幅攀高至20%水准。

三星为全球 3D NAND Flash 发展最快速的厂商，在各大个人电脑代工厂中已获得不错的市占率;目前第 3 代 3D NAND Flash 将完成产品测试阶段，可望在今年下半年随着新款笔记型电脑铺货而开始量产。

东芝则在今年第1季开始小量生产 3D NAND Flash，集邦科技指出，因应 5 年后 3D NAND Flash 需求，东芝计划第 4 季动工在现有厂区的周边扩建，预计 2018 年上半年加入 3D NAND Flash 生产行列。

　　晟碟(SanDisk)也开始进行 3D NAND Flash 初期小量试产，M14 厂第 2 阶段将从今年下半年加入生产行列，满足 3D NAND Flash 市场需求。

　　美光已将 3D NAND Flash 送样模组厂测试，集邦科技表示，美光未来将以随身碟及消费性固态硬碟产品为主;美光自有品牌的 3D NAND Flash 固态硬碟预计今年第 3 季初送将各个人电脑代工厂认证。

　　随着各 NAND Flash 供应纷纷加速 3D NAND Flash 发展，集邦科技预期，今年 3D NAND Flash 产出比重可望攀高至 20% 水准，将有助固态硬碟加速普及。

　　中国大陆武汉新芯预计下周动土兴建新存储器晶圆厂，集邦科技表示，这座新厂最快将在2018 年初开始生产 3D NAND Flash，将代表中国大陆发展存储器产业迈入新里程碑。