三星否认扩产3D NAND？外资：三星明年3D产能将扩充至37.5%

　　据韩国时报报导，三星电子于15日宣称“2017年底前斥资25兆韩元扩充3DNAND型快闪存储器产能”的投资内容尚未敲定，但有分析师似乎认为韩媒的报导内容相当可信。

　　barron`s.com16日报导，JP摩根发表研究报告指出，三星应该会在今年底将3DNAND的月产能拉高至接近16万片晶圆 (西安厂12万片、Line 16厂接近4万片)。三星的西安厂目前已接近产能全开，且该公司还计划把Line 16厂的部分2DNAND产能转换为3D。

　　另外，三星也将善用Line 17厂在二楼的空间，于明年投产3D NAND。依据上述假设，JP摩根估计三星明年底的3D NAND月产能将攀升至22万片(西安厂12万片、Line 16厂近6万片、Line 17厂近4万片)，等于是比今年底的月产能(16万片)扩充37.5%，并占业界总体产能的12%。

　　RW Baird分析师Tristan Gerra已于5月31日发表研究报告指出，三星可能会在今年下半年把一大部分的DRAM产能转移到NAND型快闪存储器，同时将18 纳米制程产能初步拉高。

　　Gerra认为，下半年NAND的产业市况相当乐观，主要是拜iPhone 7的储存容量增加(该款智能机应会增添256GB版本)、PC加速采纳固态硬碟(SSD)之赐。他说，这会让NAND定价在下半年稳定走扬。

　　半导体设备业龙头厂商应用材料 (Applied Materials Inc.)在其财报电话会议上指出，投资活动逐渐从DRAM转到NAND型快闪存储器，估计今年下半年DRAM的资本支出会年减至少25%，NAND则会年增35%。