解析三星/美光/ST/IBM在相变存储器领域的布局

　　2015年国内集成电路市场超10000亿，其中存储器的市场总额(包括逻辑芯片中的存储器)超过6100亿元，市场空间巨大。

　　存储器领域的基本类型

　　存储器芯片领域，主要分为两类：易失性和非易失性。易失性：断电以后，存储器内的信息就流失了，例如 DRAM，电脑中的内存条。非易失性：断电以后，存储器内的信息仍然存在，主要是闪存(Nand FLASH 和 NOR FLASH)，NOR 主要应用于代码存储介质中，而 NAND 则用于数据存储。在整个存储器芯片里面，主要有的三种产品是：DRAM、NOR FLASH 和 Nand FLASH。

　　DRAM市场上主要由三星、海力士和美光三大巨头垄断，占比达到 90%以上。从 Nand FLASH 市场来讲，2016 年第一季度，三星占了 35.1%，所占市场份额很大。整个存储器芯片里面，三星所占市场份额是最大的，目前在市场上主导地位的是闪存(flash memory)。当工艺线宽小于 16nm 的时候，传统闪存面临着一定的物理极限。主要的问题：1、可靠性问题。工艺线宽尺寸小于 16nm 时，厚度逐渐下降，可靠性存在问题，可靠性限制了存储器单层的厚度。2、当然那还有构造问题。3、擦写速度慢。4、有效的擦写次数。

　　三星

　　2008年基于90nm工艺制备512Mb相变存储器芯片; 2011年基于58nm工艺制备1Gb相变存储器芯片;2012 年基于 20nm 工艺制备 8Gb 相变存储器芯片;2014 年发布相变存储器的产业报告。

　　三星在相变存储器领域的布局

美光

　　2009 年基于 45nm 工艺制备1Gb 相变存储器芯片; 2011 年发布第一款基于相变存储器的 SSD;2013 年基于 45nm 工艺 1Gb 相变存储器芯片实现量产;2015 年联合 Intel发布 3D Xpoint。

美光在相变存储器领域的布局

　　意法半导体

　　2009 年联合恒亿共同发布 90nm 工艺 4Mb 嵌入式相变存储器芯片;2010 年，发布了通过材料改性工程 N-GeTe 实现更好的热稳定性及数据保持;2013 年，发布了通过材料改性工程 N-Ge-GST实现 SET与高低组保持的性能平衡。

　　意法半导体在相变存储器领域的布局

　　IBM

　　2011 年 IBM发布了多值的相变存储器操作算法，然后推出了基于 MIEC 材料选通的多层crosspoint存储器。 2014年IBM发布了6位多值存储电阻漂移的算法解决办法， 2016年发布多值相变存储器，进入 90nm 工艺。

　　IBM在相变存储器领域的布局

　　国际其他产家，包括英特尔、台积电等都有在其中做过相关工作。

　　国际其他厂商在相变存储器领域的布局