三星2Q'17起或将全面采20纳米制程生产移动DRAM

三星电子(Samsung Electronics)被预估自2017年第2季开始，将全面采用20纳米或以下的制程技术生产所有移动DRAM产品，意谓2017年第2季以后三星也将停止采用25纳米制程技术生产移动DRAM芯片，由此显示出三星在制程技术上的加速演进。

　　韩联社等外媒报导，根据市场研究公司DRAMeXchange指出，据信在2016年第4季三星生产的移动DRAM芯片中，约94%已开始采用20纳米或以下纳米制程技术生产。

　　到目前三星移动DRAM芯片采20纳米制程生产比重为82%、18纳米为12%，25纳米仍有6%，但预计到了2017年第2季20纳米生产比重将略增至83%，其余17%都将由18纳米制程生产，意谓届时三星可能将不再以25纳米制程生产移动DRAM芯片。

　　采用20纳米以下制程技术生产芯片，有助芯片制造商提高晶圆生产力，且生产出的半导体产品具备较高省电效果。若预测准确，意谓自日前三星首度宣布量产10纳米DRAM到2017年第2季将能以20纳米以下制程生产移动DRAM，所需时间还不到1年，这将较其他主要竞争对手快上1年以上。

　　另外，三星日前推出全球半导体产业首款智能型手机用8GB移动DRAM产品，采用10纳米制程技术并已开始量产，三星表示，新一代移动芯片预期将更明显提升高解析度、大尺寸屏幕智能型手机用户的使用者体验。

　　三星在2015年8月推出20纳米12GB LPDDR4 DRAM后，仅隔14个月后便再推出10纳米16GB LPDDR4，三星指出借由以10纳米设计加上低功耗技术，这款10纳米DRAM芯片在运算能力及功耗表现上，均较现有20纳米4GB移动DRAM再成长达1倍。

　　至今全球搭载最高容量移动DRAM的智能型手机为6GB移动DRAM;苹果(Apple)iPhone 7 Plus内建移动DRAM只有3GB。因此一旦智能型手机也开始内建8GB移动DRAM，届时可望再次提升移动装置的整体性能，是否对PC市况再度形成影响性将值得观察。