Diodes公司推出微型车用 MOSFET，可提供更高的功率密度

Diodes公司日前宣布推出额定40V的DMTH4008LFDFWQ及额定60V的DMTH6016LFDFWQ，两者均为符合车用规范的MOSFET，采用DFN2020封装。这两款微型MOSFET仅占较大封装(例如SOT223) 10%的PCB区域，可在直流对直流(DC-DC)转换器、LED背光、ADAS及其他“引擎盖下”的汽车应用之中，提供更高的功率密度。

DMTH4008LFDFWQ在V_GS= 10V时的R_DS(ON)标准值为11.5mΩ，闸极电荷Q_g则只有14.2nC。DMTH6016LFDFWQ在V_GS= 10V时的R_DS(ON)标准值为13.8mΩ，Q_g为15.2nC。两款装置都可承受175°C，并采用侧壁板DFN2020封装，因此适用于周围温度较高的环境。

DMTH4008LFDFWQ如果是在12V、5A降压转换器这类的一般应用中使用，其功耗比竞争对手的同等MOSFET少20%。由于效率大幅提升，汽车设计人员可享有更高弹性及自由，在新型或现有的汽车应用中增加功率密度。

DMTH4008LFDFWQ及DMTH6016LFDFWQ均符合AEC-Q101车用规范，并获得PPAP支持提供完整的可追溯性。这两款装置的供应数量以3,000个为单位。