三星高调宣布2025年投入2nm量产

韩国三星在举行晶圆代工论坛期间高调宣布，2025年投入2奈米量产，再度确认将导入新一代环绕闸极技术(GAA)电晶体架构，抢在台积电前宣布2025年投入2奈米制程的芯片量产，剑指台积电的意图明显，晶圆代工全球版图恐将迎来新变局。

此次论坛以Adding One More Dimension为主题，会中提到三星过去曾在2020上半年宣布该公司要在GAA的基础上导入3奈米制程，而此次更提到要基于GAA基础，在2023年时要导入第二代的3奈米制程，并于2025年导入2奈米制程。而这回也是三星首度表明2奈米的制程规划。

要知道，GAA制程技术能让芯片中的电晶体更小、更快，也更省电。而截至目前为止，台积电所使用的FinFET(鳍式场效电晶体)，仍然是当前最新的电晶体技术。以三星为例，该公司于2012年时，在14奈米制程导入该项技术。

但FinFET在到达7奈米、5奈米、4奈米等细微制程门槛时，就接连遇上瓶颈，该构造在4奈米以下的制程当中，已无法再降低作业电压，而解决办法就是GAA技术。

三星在GAA技术研发上，进一步发展出独自的MBC FET(Multi Bridge Channel Field Effect Transistor) 技术。该公司表示，采用MBC FET构造的3奈米制程，比起以往FinFET技术的5奈米制程，在性能上提升30%、电力消耗减少50%、面积缩小35%。

不但是如此，三星也在此次论坛上公布17奈米的FinFET新制程。按照三星相关人士的说法，新制程和过去相比，在性能上提升39%、电力效率提升49%、面积缩小43%。

台积电与三星长年来，在芯片制程的竞争至今都尚未结束。Business Korea日前指出，台积电在专利数申请上再次超越三星，而台积电总裁魏哲家也暗示，公司3奈米量产首年较5奈米将有更多新品设计定案，也会配合客户在明年下半年量产。

台积电此前消息称，公司将在2奈米制程时，才会选择引进GAA技术，3奈米制程将维持FinFET架构，将重点放在2奈米以外节点，以及3D电晶体、新记忆体以及Low-R Interconnect等领域，为各项技术平台创造发展基础，并且加强FAB 12的研发N3、N2甚至更高级的先进制程节点。

美国商务部日前传出消息，要求台积电、三星、SK海力士与英特尔等芯片制造商，在11月8日提供客户名单、库存以及未来生产计划等商业机密。台积电对此回应，若有需要协助的地方，会向台湾当局反应，并且证实台当局持续给予关注。韩国产业通商资源部部长吕翰九指出，他深知南韩业者的担忧情绪，将向美方持续会谈，反应韩方看法，尽可能降低伤害。

而根据韩国媒体Business Korea所指，韩国企业担忧美国此举恐怕将造成合约取消、产品价格波动，以及美国政府将揭露他们的机密资料。报道透露，美国政府要求的讯息包括制造的芯片种类、各产品每月销售额、客户名册、库存数据以及供货不足的对策。三星电子与SK海力士不愿透露与客户与合约有关的资料，因为这些机密显示他们及其客户的商业策略，可能导致合约取消。再者，库存与产能数据的披露可能严重冲击价格谈判与市场价格。

尽管美国政府承诺不会公开资料，但相关公司透露，这些资料根本无法提供分享，就一名韩国当地业者说：“归根结底，美国政府企图透过施压非美国半导体公司，协助本国企业成长”。他也呼吁，个别企业无法违抗美国政府，南韩政府必须与业者共同努力，以尽可能降低损害。

吕翰九则向市场发表声明：“韩国与美国政府正增加供应链议题的对话。”这也就意味着，韩国政府可以协助业者应对该议题。