三星将在 2024 IEEE ISSCC 上展示 280 层 QLC 闪存，速率可达 3.2GB/s

IT之家 1 月 30 日消息，2024 年 IEEE 国际固态电路会议（ISSCC）将于 2 月 18 日至 22 日在旧金山举行，是世界学术界和企业界公认的集成电路设计领域最高级别会议。

根据会议公开内容：届时三星将展示其GDDR7内存以及 280 层 3D QLC NAND 闪存等技术，其中GDDR7IT之家此前已有相关报道，而 280 层 QLC 闪存将成为迄今为止数据密度最高的新型 NAND 闪存技术。

从三星给出的主题“A 280-Layer 1Tb 4b / cell 3D-NAND Flash Memory with a 28.5Gb / mm2 Areal Density and a 3.2GB/s High-Speed 10 Rate”来看，其 280 层 1Tb QLC 闪存具有如下特征：

• 280 层 1Tb 4b / cell 3D-NAND 闪存：

• ——280 层：指该闪存芯片由 280 层存储单元垂直堆叠而成，从而提高了存储密度。

• ——1Tb：指该闪存芯片的存储容量密度为 1024 G bit。

• ——4b / cell：指每个存储单元可以存储 4 个二进制位，即每比特数据占用 0.25 个存储单元，进一步提高了存储密度。

• ——3D-NAND：指该闪存采用 3D 堆叠技术，通过垂直堆叠存储单元来增加存储密度。

• 28.5Gb / mm2 面密度：指每平方毫米存储单元可存储 28.5Gb 数据，表明其存储密度极高。

• 3.2GB/s High-Speed 10 Rate：指该闪存芯片读取数据的最高速度为 3.2GB/s，High-Speed 10 Rate 可能指的是某种特定的接口或传输协议。

IT之家注：Gb 即兆位（G bit），是密度单位，与 GB（G Byte）不同。就目前已公开技术来看，三星280 层 1Tb QLC 闪存的密度和速率均处于领先位置，但量产时间未知。

根据三星 PPT 来看，QLC NAND V9 闪存可以实现最高 8TB 的 M.2 硬盘，IO 速度超过 2.4Gbps（单个芯片），原始性能可与当今 TLC 闪存直接竞争，但具体上市产品表现如何仍待观察。