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智能MOSFET驱动器提升电源性能的设计方案

作者: 时间:2012-04-26 来源:网络 收藏

在电源系统中,一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号,以便以最快的速度打开和关闭。由于IC与的位置相邻,所以就需要增加智能保护功能以增强电源的可靠性。

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/230666.htm

  UCD9110或UCD9501等新上市的数字电源控制器需要具备新型的智能型集成MOSFET的支持。电源设计人员仍然对数字电源控制技术心存疑虑。他们经常将PC的蓝屏现象归咎于软件冲突。当然,这种争议会阻碍数字控制电源以及查找控制器故障期间功率级保护策略的推广。这推动了不依赖数字电源控制器信号的具备功率级内部保护功能的MOSFET驱动器的发展。

智能MOSFET驱动器提升电源性能的设计方案

图1:数字电源的典型实施方案。

  图1是数字控制电源的典型实施方案。图中左侧数字电源控制器通常的工作电压为3.3V。由于控制器设计中采用了数字低电压处理方法,出于对稳定性及噪声的考虑,不能直接使用该数字控制器驱动MOSFET。控制器与功率级之间的接口由MOSFET驱动器提供。通常由MOSFET驱动器接收PWM或数字控制器的输出信号,然后将其转换为适于高效开、关MOSFET的高电流信号。如果控制器信号受到干扰或出错,则普通MOSFET驱动器将无法提供任何保护功能。TI推出的UCD7K系列MOSFET驱动器将能够保护功率级免受因干扰驱动信号而导致的重大故障。MOSFET驱动器内置的超高速电流感应比较器提供了功率级保护。图2为相关结构图。

智能MOSFET驱动器提升电源性能的设计方案

图2:UCD7500 MOSFET驱动器结构图。

  集成的超快速电流限制功能


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