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凌力尔特推出高速同步MOSFET驱动器LTC4447

作者: 时间:2008-06-30 来源:电子产品世界 收藏

公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步LTC4447,该器件用来在同步整流拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率。这个加上功率和一个公司的 DC/DC 控制器,就可组成一个完整的高效率同步稳压器,该稳压器可用作降压或升压型 DC/DC

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/84969.htm

  LTC4447 在一个 4V 至 6.5V 的电压范围内对上端和下端 MOSFET 栅极进行轨至轨驱动,并可从一个高达 38V 的电源电压获取工作电源。这个强大的可以吸收高达 5A 的电流,并提供高达 3.2A 的电流,从而非常适用于驱动高栅极电容、大电流 MOSFET。LTC4447 还可以为较大电流应用驱动多个并联的 MOSFET,它含有一个集成的自举肖特基二极管。在驱动一个 3000pF 的负载时,高端 MOSFET 非常快的 8ns 上升时间、7ns 下降时间和低端 MOSFET 的 7ns 上升时间、4ns 下降时间最大限度地减小了开关损耗并提高了效率。该器件集成了自适应贯通保护功能,以防止高端和低端 MOSFET 同时导通,并最大限度地缩短死区时间。

  LTC4447 有一个用于电源级停机的 3 态 PWM 输入,与使用 3 态输出功能的单相和多相控制器兼容。此外,它具有一个用于输入逻辑电路的单独电源,以实现控制器 IC 与驱动器和逻辑电源上欠压闭锁电路的信号摆幅进行匹配。

  LTC4447 采用扁平 (0.75mm) 3mm x 3mm DFN-12 封装,在 -40°C 至 85°C 的温度范围内工作,以 1000 片为单位批量购买,每片价格为 1.35 美元。

照片说明:用于 DC/DC的同步 MOSFET 驱动器

 性能概要:LTC4447
   •同步 N 沟道 MOSFET 驱动器
   •大驱动电流:提供 3.2A,吸收 5A
   •38V 最大电源电压
   •4V 至 6.5V 栅极驱动电压
   •集成自举肖特基二极管
   •自适应贯通保护
   •高端栅极:驱动 3000pF 负载时,上升时间为 8ns,下降时间为 7ns
   •低端栅极:驱动 3000pF 负载时,上升时间为 7ns,下降时间为 4ns
   •3 态 PWM 输入用于电源级停机
   •轨至轨输出驱动器



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