三星宣布投产40纳米8Gb融合闪存芯片

三星称，通过采用40nm新工艺和8Gb大容量，Flex-OneNAND闪存芯片的生产效率可比上一代60nm 4Gb提高最多180％。40nm Flex-OneNAND当前主要面向智能手机，不过三星认为今年底就会走入全高清电视、网络电视(IPTV)和其他高端应用领域，而且随着数据传输率的提高，会有越来越多的高端手机集成1GB乃至32GB嵌入式内存。