新闻中心

EEPW首页>电源与新能源>新品快递> IR推出150V和200V MOSFET

IR推出150V和200V MOSFET

作者: 时间:2009-08-17 来源:电子产品世界 收藏

  国际整流器公司 (International Rectifier,简称) 推出一系列150V和200V HEXFET功率,为开关模式电源 () 、不断电系统 ()、等工业应用提供极低的闸电荷 (Qg)。

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/97228.htm

  与其它竞争器件相比,150V提供的总闸电荷降低了高达59%。至于新款200V的闸电荷,则比竞争器件的降低了多达33%。

亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“随着DC-DC功率转换应用技术的日益进步,开关频率也有所提高,输入电容和闸电荷在整体效率方面担当起重要的角色。开关损耗的多少对快速开关电路来说是关键的问题。IR新推出的150V和200V MOSFET正好针对这个挑战做出了优化,所以非常适合作为通信应用中隔离式DC-DC转换器的主要开关,或者在任何先进的DC-DC应用中推动轻负载效率。”

  这些新款MOSFET达到工业级别及第一级湿度感应度 (MSL1) 。它们采用TO220、D2PAK、TO262、DPAK和IPAK封装,皆为无铅设计,并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 指令。



评论


相关推荐

技术专区

关闭