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iPhone 17 Pro将首发!曝台积电2nm/1.4nm工艺量产时间敲定

  • 4月11日消息,根据产业链消息,台积电的2纳米和1.4纳米工艺已经取得了新的进展。据了解,台积电的2纳米和1.4纳米芯片的量产时间已经确定。2纳米工艺的试产将于2024年下半年开始,而小规模量产将在2025年第二季度进行。值得一提的是,台积电在亚利桑那州的工厂也将参与2纳米工艺的生产。到了2027年,台积电将开始推进1.4纳米工艺节点,这一工艺被正式命名为"A14"。按照目前的情况,台积电最新的工艺制程很可能会由苹果率先采用。按照台积电的量产时间表,iPhone 17 Pro将成为首批
  • 关键字:iPhone 17 Pro台积电2nm1.4nm工艺

SiC迈入8英寸时代,国际大厂量产前夕国内厂商风口狂追

  • 近日,包括Wolfspeed、韩国釜山政府、科友等在第三代半导体SiC/GaN上出现新进展。从国内外第三代化合物进展看,目前在碳化硅领域,国际方面8英寸SiC晶圆制造已迈向量产前夕,国产厂商方面则有更多厂家具备量产能力,产业链条进一步完善成熟,下文将进一步说明最新情况。SiC/GaN 3个项目最新动态公布Wolfspeed德国8英寸SiC工厂或将延迟至明年建设近日,据外媒消息,Wolfspeed与采埃孚联合投资建设的德国8英寸SiC晶圆厂建设计划或被推迟,最早将于2025年开始。据悉,该工厂由Wolfsp
  • 关键字:SiC8英寸

One UI 6.1 导致 Galaxy S23 系列手机指纹识别出问题

  • 4 月 8 日消息,近日,三星为 Galaxy S23 系列机型推送的 One UI 6.1 更新意外导致了手机的指纹识别功能出现故障。有用户反映,使用指纹识别解锁手机时,会出现第一次识别失败,手指离开后再重新识别才能解锁的情况。还有用户表示,每次使用指纹识别解锁手机时,系统都会崩溃,需要连续尝试两次才能成功。据 AndroidAuthority 报道,三星韩国社区论坛的一位社区经理已经确认了该问题的存在。他表示:“对于设备使用过程中出现的不便,我们深表歉意。我们已经确认,部分情况下锁屏的指纹识别功能
  • 关键字:One UI 6.1Galaxy S23手机指纹识别

三星计划推出Mach-1:轻量级AI芯片,搭配LPDDR内存

  • 三星电子DS部门负责人庆桂显(Kye Hyun Kyung)在第55届股东大会上宣布,将于2025年初推出人工智能(AI)芯片Mach-1,正式进军AI芯片市场。三星希望,能够在快速增长的人工智能硬件领域与其他公司进行竞争,比如英伟达。据SeDaily报道,Mach-1属于ASIC设计,被定为为轻量级人工智能芯片,搭配LPDDR内存产品。其拥有一项突破性的功能,与现有的设计相比,能显著降低了推理应用的内存带宽需求,仅为原来的八分之一,降低了87.5%。三星认为,这一创新设计将使Mach-1在效率和成本效益
  • 关键字:三星Mach-1AI芯片LPDDR内存

xAI宣布开源大语言模型Grok-1并开放下载

  • 3月18日消息,美国当地时间周日,埃隆·马斯克(Elon Musk)旗下的人工智能初创企业xAI宣布,其大语言模型Grok-1已实现开源,并向公众开放下载。感兴趣的用户可通过访问GitHub页面github.com/xai-org/grok来使用该模型。xAI介绍称,Grok-1是一款基于混合专家系统(Mixture-of-Experts,MoE)技术构建的大语言模型,拥有3140亿参数。近期,公司发布了Grok-1的基本模型权重和网络架构详情。该公司表示,Grok-1始终由xAI自行训练,其预训练阶段于
  • 关键字:xAI开源大语言模型Grok-1

贸泽开售加快工业IoT设备开发的Boundary Devices Nitrogen8M Plus SMARC

  • 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售Boundary Devices的Nitrogen8M Plus SMARC。Nitrogren8M Plus SMARC是一款符合SMARC 2.1行业标准的高性能系统级模块 (SoM),与SMARC载板相结合可组成单板计算机,大大加快产品上市速度。Nitrogen8M Plus SMARC是各种工业物联网 (IIoT) 应用的
  • 关键字:贸泽工业IoT设备BoundarySMARC 2.1

思特威推出全新5000万像素1/1.28英寸图像传感器SC580XS

  • 2024年1月11日,中国上海 — 思特威(上海)电子科技股份有限公司(股票简称:思特威,股票代码:688213),重磅推出其首颗5000万像素1/1.28英寸图像传感器新品——SC580XS。此款新品是思特威继成功量产第一颗22nm HKMG Stack工艺的5000万像素1/1.56英寸产品SC550XS之后,在同一工艺平台打造的升级产品。作为1.22µm像素尺寸图像传感器,SC580XS搭载思特威新一代像素技术SFCPixel®-2以及PixGain HDR®、AllPix ADAF®等多项技术和工
  • 关键字:智能手机主摄思特威5000万像素1/1.28英寸图像传感器

详细分析机电1-Wire接触封装解决方案及其安装方法

  • 本文介绍已获专利的适用于机电接触应用的1-Wire®接触封装解决方案,并对比传统的封装解决方案以展示1-Wire接触封装解决方案的优越性。本文还就如何将该解决方案安装到配件或耗材提供了建议,并作了机械规格和可靠性分析。越来越多的系统要求为传统的非电子外设或耗材添加电子功能,包括存储校准数据或制造信息,或者存储外设、配件或耗材的OEM认证。这就要求系统需要添加存储和安全功能,还必须在主机和外设之间添加机电连接功能。已获专利的1-Wire接触封装(以前称为SFN封装)专为机电接触环境而设计,典型应用包括对象识
  • 关键字:1-Wire封装机电

Diodes公司的低功耗1.8V、2.5Gbps、双数据通道ReDriver支持 MIPI D-PHY 1.2协议

  • Diodes 公司 (Diodes)近日推出一款低功耗、高性能且符合 MIPI® D-PHY 1.2 协议的信号 ReDriver™。PI2MEQX2503 可重建从相机传输到显示器的信号,数据传输速率高达 2.5Gbps,适用于笔记本电脑、平板电脑、手机、物联网 (IoT) 设备、商用显示器、增强现实头戴显示器、无人机和机器人等各种产品应用。PI2MEQX2503 具有双数据通道均衡器和单时钟通道,可补偿与 PCB、接口、线材及开关相关的损耗。此 ReDriver 可实现从 CSI2 信号来源传输到 D
  • 关键字:DiodesReDriverMIPI D-PHY 1.2

Diodes公司的低功耗1.8V、2.5Gbps、双数据通道ReDriver支持MIPI D-PHY 1.2协议

  • Diodes 公司 (Diodes)近日推出一款低功耗、高性能且符合 MIPI® D-PHY 1.2 协议的信号 ReDriver™。PI2MEQX2503 可重建从相机传输到显示器的信号,数据传输速率高达 2.5Gbps,适用于笔记本电脑、平板电脑、手机、物联网 (IoT) 设备、商用显示器、增强现实头戴显示器、无人机和机器人等各种产品应用。PI2MEQX2503 具有双数据通道均衡器和单时钟通
  • 关键字:DiodesReDriverMIPID-PHY 1.2协议

拥有8:1输入比的1/4砖100W DC/DC转换器

  • Flex Power Modules向其产品系列中加入了一款全新1/4砖、底板冷却的DC/DC转换器PKM8100A,该产品具有9-75 VDC超宽的输入范围(100V/100 ms)。PKM8100A以最高达89%的效率提供100 W功率,并提供12 V/8.35A或54 V/1.85 A的初始输出。产品的输入到输出隔离电压额定值为3000 VDC,满足IEC/UL 62368-1的要求。该产品具有丰富的功能,包括远程控制、输出微调和遥感功能,保护功能则涵盖过温、输入欠压锁定、输出过压和短路。
  • 关键字:Flex Power Modules1/4砖DC/DC转换器

罗姆宣布明年在日本生产8英寸SiC衬底

  • 罗姆半导体(Rohm)株式会社社长松本功近日在2023年11月财报电话会议上宣布,将在位于日本宫崎县的第二家工厂生产8英寸SiC衬底,主要供该公司内部使用,预计将于2024年开始投产。这将是罗姆首次在日本生产SiC衬底。据悉,宫崎第二工厂规划项目是罗姆近几年产能扩张计划的一部分,罗姆计划在2021-2025年为SiC业务投入1700亿-2200亿日元(折合人民币约82亿元-107亿元)。对于包括罗姆在内的众多SiC功率半导体玩家而言,再怎么加大投资、提升SiC衬底产能都不过分。一方面,近年来,衬底材料短缺
  • 关键字:罗姆8英寸SiC衬底

国内6英寸、8英寸碳化硅衬底片迎来新进展

  • 11月4日,晶盛机电“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目”正式签约启动,此举旨在攻关半导体材料端关键核心技术,最终实现国产替代。据悉,此次签约项目总投资达21.2亿元。据晶盛机电介绍,公司自2017年开始碳化硅晶体生长设备和工艺研发,相继成功开发6英寸、8英寸碳化硅晶体和衬底片,是国内为数不多能供应8英寸衬底片的企业。目前,公司已建设了6-8英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光中试线,6英寸衬底片已通过多家下游企业验证,正处于快速上量阶段,8英寸衬底片处于小批量试制阶段。碳化硅作为第三代半导体代表
  • 关键字:6英寸8英寸碳化硅衬底

机电1-Wire接触封装解决方案及其安装方法

  • 本文介绍已获专利的适用于机电接触应用的1-Wire®接触封装解决方案,并对比传统的封装解决方案以展示1-Wire接触封装解决方案的优越性。本文还就如何将该解决方案安装到配件或耗材提供了建议,并作了机械规格和可靠性分析。
  • 关键字:机电1-Wire接触封装

台积电高雄厂已完成2nm营运团队建设,未来或切入1.4nm

  • 据中国台湾经济日报报道,台积电高雄厂正式编定为台积22厂(Fab 22),并且完成该厂2nm营运团队建设。台积电供应链认为,台积电或许可能将高达逾7000亿新台币的1.4nm投资计划转向高雄,但仍视其他县市争取台积电进驻态度及台积电全盘规划而定。报道指出,台积电打破在不同产区同时生产最先进制程的惯例,将高雄厂原计划切入28纳米及7纳米的规划,改为直接切入2纳米。同时在新竹宝山兴建2纳米第一期工厂之际,也立刻于高雄第一期工厂作为生产2纳米制程。此前据TechNews消息,台积电在北部(新竹宝山)、中部(台中
  • 关键字:台积电2nm1.4nm
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