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High-NA EUV光刻机入场，究竟有多强？
- 光刻机一直是半导体领域的一个热门话题。从早期的深紫外光刻机（DUV）起步，其稳定可靠的性能为半导体产业的发展奠定了坚实基础；再到后来的极紫外光刻机（EUV）以其独特的极紫外光源和更短的波长，成功将光刻精度推向了新的高度；再到如今的高数值孔径光刻机（High-NA）正式登上历史舞台，进一步提升了光刻的精度和效率，为制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官网显示，其组装了两个 TWINSCAN EXE:5000 高数值孔径光刻系统。其中一个由 ASM 与 imec 合作开发，将于 2024 年安装在 A
- 关键字：High-NA EUV
ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻机引入部分 High-NA 机型技术
- 3 月 27 日消息，据荷兰媒体 Bits&Chips 报道，ASML 官方确认新款 0.33NA EUV 光刻机 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻机的技术，运行效率得以提升。根据IT之家之前报道，NXE:3800E 光刻机已于本月完成安装，可实现 195 片晶圆的每小时吞吐量，相较以往机型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技术 High-NA（高数值孔径） EUV 采用了更宽的光锥，这意味着其在 EUV 反射镜上的撞击角度更宽，会导致影响晶圆吞吐量的光损失。
- 关键字：ASMNXE:3800E EUV光刻机High-NA
英特尔是否正在垄断ASML HIGH NA光刻机？
- HIGH NA 无疑是打赢下一场比赛的重要筹码。
- 关键字：英特尔ASMLHIGH NA光刻机
英特尔拿下首套High-NA EUV，台积电如何应对？
- 英特尔（intel）近日宣布，已经接收市场首套具有0.55数值孔径（High-NA）的ASML极紫外（EUV）光刻机，预计在未来两到三年内用于 intel 18A 工艺技术之后的制程节点。 相较之下，台积电则采取更加谨慎的策略，业界预计台积电可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才会采用High-NA EUV光刻机。业界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，这也是台积电暂时观望的原因，台积电更倾向于采用成本更低的成熟技术，以确保产品竞争力。Hig
- 关键字：英特尔High-NA EUV台积电
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革
- 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术，并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。厚度挑战: 需要全新的解决方案组成DRAM的晶体管(Transistor)包括存储数据的单元晶体管(Cell Transistor)、恢复数据的核心晶体管(Core Tr
- 关键字：SK海力士High-kMetal Gate
Derive simple high-current source from lab sup
- Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate control voltage, this adjustable current source provides a 1-to-1 ratio of control voltage to
- 关键字：high-currentDerivesimplesource
半导体设备业研发经费拮据 联盟关系将成救星
- 市场研究机构Gartner警告，半导体设备产业的研发预算恐怕在接下来的五年内大幅削减80亿美元，使该产业领域陷入危机。不过该机构资深分析师Dean Freeman也表示，研发联盟的兴起将成为救星。 缺乏适当的投资将导致技术蓝图延迟，而且公司恐怕无法做好迎接未来挑战的准备;在目前营收低迷的情况下，半导体设备业正面临着如此的危机点。不过Freeman却认为，在这一轮不景气中最大的不同，就是在过去十年来有不少产业联盟的建立，而这些结盟关系在某些程度上减轻了业者因营收减少对研发所带来的冲击。 Fr
- 关键字：半导体设备通孔硅high-k金属闸极
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