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High-NA EUV光刻机入场,究竟有多强?
- 光刻机一直是半导体领域的一个热门话题。从早期的深紫外光刻机(DUV)起步,其稳定可靠的性能为半导体产业的发展奠定了坚实基础;再到后来的极紫外光刻机(EUV)以其独特的极紫外光源和更短的波长,成功将光刻精度推向了新的高度;再到如今的高数值孔径光刻机(High-NA)正式登上历史舞台,进一步提升了光刻的精度和效率,为制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官网显示,其组装了两个 TWINSCAN EXE:5000 高数值孔径光刻系统。其中一个由 ASM 与 imec 合作开发,将于 2024 年安装在 A
- 关键字:High-NA EUV
ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻机引入部分 High-NA 机型技术
- 3 月 27 日消息,据荷兰媒体 Bits&Chips 报道,ASML 官方确认新款 0.33NA EUV 光刻机 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻机的技术,运行效率得以提升。根据IT之家之前报道,NXE:3800E 光刻机已于本月完成安装,可实现 195 片晶圆的每小时吞吐量,相较以往机型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技术 High-NA(高数值孔径) EUV 采用了更宽的光锥,这意味着其在 EUV 反射镜上的撞击角度更宽,会导致影响晶圆吞吐量的光损失。
- 关键字:ASMNXE:3800E EUV光刻机High-NA
英特尔是否正在垄断ASML HIGH NA光刻机?
- HIGH NA 无疑是打赢下一场比赛的重要筹码。
- 关键字:英特尔ASMLHIGH NA光刻机
英特尔拿下首套High-NA EUV,台积电如何应对?
- 英特尔(intel)近日宣布,已经接收市场首套具有0.55数值孔径(High-NA)的ASML极紫外(EUV)光刻机,预计在未来两到三年内用于 intel 18A 工艺技术之后的制程节点。 相较之下,台积电则采取更加谨慎的策略,业界预计台积电可能要到A1.4制程,或者是2030年之后才会采用High-NA EUV光刻机。业界指出,至少在初期,High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV,这也是台积电暂时观望的原因,台积电更倾向于采用成本更低的成熟技术,以确保产品竞争力。Hig
- 关键字:英特尔High-NA EUV台积电
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革
- 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。厚度挑战: 需要全新的解决方案组成DRAM的晶体管(Transistor)包括存储数据的单元晶体管(Cell Transistor)、恢复数据的核心晶体管(Core Tr
- 关键字:SK海力士High-kMetal Gate
Littelfuse完成对C&K Switches的并购
- 致力于打造可持续发展、互联互通和更安全之世界的工业技术制造公司Littelfuse, Inc.宣布完成对C&K Switches (“C&K”)的并购。C&K 是高性能机电开关和互连解决方案的领先设计和制造商,在工业、交通运输、航空航天和数据通信等多个终端市场拥有广泛而活跃的全球业务。 Littelfuse电子业务部高级副总裁兼总经理 Deepak Nayar表示:“两家企业的合并显著扩展了双方的技术范围和生产能力,使得我们能够为广泛垂直终端市场的众多客户提供全
- 关键字:LittelfuseC&K Switches并购
基于图像的目标区域分割算法研究
- 通常在进行图像处理时,并不需要对整幅图像进行处理,往往我们感兴趣的部分只有图像中的某个区域。快速、有效地将目标区域分割出来,不仅能降低运行时间,而且能为后续处理工作打下基础。因此,本文将对目标区域分割算法进行研究,分别采用大津法(OTSU)、K-means聚类法、分水岭算法进行研究,通过实验对比发现,背景较单一时,大津法相对来说效果较好。
- 关键字:目标分割大津法K-means聚类法分水岭算法201902
C&K推出可应用于汽车、工业和医疗领域的紧凑型双回路开关
- 全球最值得信赖的高端机电开关品牌之一 ─ C&K宣布推出一款采用双回路技术的轻触开关, 作为其KSC系列轻触开关的重要新增。 这款新的KSC-DCT轻触开关支持SPDT NC-NO双回路功能, 可通过单路输入实现双路输出。封装在一个6.2 mm x 6.2 mm x 2.9 mm的小型PCB安装封装中, 封装中包含的硅胶70SH起动器将高度扩展到板面5.2 mm, 便于操作和通过预/后行程更容易集成。 该新开关的额定工作寿命为300,000次, 操作力要求为4.75N, 并提供0.85
- 关键字:C&K,KSC-DCT
high-k介绍
High-K究竟是什么神奇的技术?这要从处理器的制造原料说起。 由于二氧化硅(SiO2)具有易制性 (Manufacturability),且能减少厚度以持续改善晶体管效能,因此过去40余年来,处理器厂商均采用二氧化硅做为制作闸极电介质的材料。 当英特尔导入65纳米制造工艺时,虽已全力将二氧化硅闸极电介质厚度降低至1.2纳米,相当于5层原子,但由于晶体管缩至原子大小的尺寸时,耗电和 [
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