GAAFET
GAAFET是(Gate-all-around FETs)采用的是纳米线沟道设计,沟道整个外轮廓都被栅极完全包裹,代表栅极对沟道的控制性更好。相比之下,传统的FinFET 沟道仅3 面被栅极包围。GAAFET 架构的晶体...... [查看详细]