Vishay推出业内首款通过汽车电子元件标准
2013 年 12 月12 日,VishayIntertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出通过AEC-Q101认证的采用非对称PowerPAK®SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。VishaySiliconix 的这两款器件可用于车载应用,把高效同步DC/DC降压转换器所需的高边和低边MOSFET都组合进小尺寸5mm x 6mm封装里,比使用分立MOSFET的方案节省空间,低边MOSFET的最大导通电阻低至6.4mΩ。
本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/198520.htm日前发布的这些MOSFET是业内首批通过汽车级认证的采用非对称封装的双芯片MOSFET,为降低传导损耗,增大了低边MOSFET的尺寸。器件可在+175℃高温下工作,具有车内任何位置的应用所需的耐用性和可靠性。器件尤其适用于车载通信娱乐系统,例如收音机和GPS系统。
SQJ940EP和SQJ942EP使设计者能够选用不同的导通电阻值。在10V电压下,SQJ940EP的沟道2低边MOSFET的最大导通电阻为6.4mΩ,沟道1高边MOSFET的导通电阻为16mΩ。与双芯片对称方案相比,SQJ940EP的低边导通电阻低31%,而尺寸同样小巧。SQJ942EP在10V下的最大低边导通电阻为11mΩ,高边MOSFET的导通电阻为22mΩ。
SQJ940EP产品数据表链接地址:http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3121018。
SQJ942EP产品数据表链接地址:http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3121019。
这些MOSFET通过了100%的Rg和UIS测试,符合RoHS,无卤素。
器件规格表:
编号
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SQJ940EP
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SQJ942EP
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通道
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1
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2
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1
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2
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VDS(V)
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40
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40
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VGS(V)
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± 20
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± 20
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最大RDS(ON)(mΩ) @
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10 V
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16
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6.4
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22
|
11
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4.5 V
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18.5
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7.6
|
26
|
13
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SQJ940EP和SQJ942EP现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十四周到十六周。
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