台积16纳米 抢快创纪录

台积电甫于今年第2季完成20纳米量产，依台积电昨(12)日宣布16纳米FinFET+制程明年7月量产的时间进程推算，创下全球晶圆代工业在一年内就完成一项新制程量产的新纪录，也增强台积电在未来二年内在10纳米超越英特尔的信心。

　　台积电能缔造这项惊人的成绩，除了董事长张忠谋亲自率领「夜鹰计画」成员，日以继夜拚进度之外，先前台积电甘愿冒先切入20纳米制程、再导入16纳米，可能落后三星直接导入14纳米制程的风险，等到获得20纳米量产经验之后，大量复制至16纳米制程、缩短学习曲线，更是关键。

　　台积电这个「奇招」，也让张忠谋先前信心满满地宣示，台积电将在2016年于16纳米领域重获领导地位，同时16与20纳米制程市占率总和是「年年的绝对领先」。

　　台积电总经理暨共同执行长刘德音坦言，台积电在20纳米制程的成功量产经验与成果，为16纳米FinFET及16 FinFET+打通任督二脉，也将是台积电提供客户芯片更具竞争力及产品快速上市的利器。

　　台积电指出，16 FinFET+速度增快40%，在相同速度下，功耗降低50%，可支持下一世代高阶行动运算、网通及消费性产品。