三星推全新芯片 未来旗舰机内存将达6GB
9月9日消息,三星宣布已经开始大规模生产12GbLPDDR4RAM芯片,该芯片采用20nm工艺制程,每个可以持有1.5GB的信息,最终能使一款智能手机拥有多达6GB的运行内存。
本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/279926.htm![三星推全新芯片 未来旗舰机内存将达6GB第1张图](http://editerupload.eepw.com.cn/201509/e22c735f805e44c06b86f3f3999c597c.jpg)
未来旗舰将搭载6GB RAM
据三星介绍,这款12GbLPDDR4RAM芯片相比之前的8Gb芯片速度提升了30%,功耗则减少了20%。
三星表示,未来的旗舰机将能够支持6GB RAM,允许在新系统中实现无缝多任务处理和最大性能。难道明年推出的Galaxy S7会是最先试水的旗舰设备?
早在2014年12月,三星就是第一个生产8Gb(1GB)12GbLPDDR4RAM芯片的厂商。如今已经发布上市的一加手机2、三星Galaxy S6 edge+和三星Note 5都配备了8Gb芯片,支持4GB运行内存。不得不说,即使智能机业务大不如从前,但三星在芯片研发方面的技术在全球还是遥遥领先的。
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