恩智浦半导体与台积电于国际电子器件会议发表七项半导体创新技术

　　由飞利浦创建的独立半导体公司恩智浦半导体(NXP Semiconductors)与台湾积体电路制造股份有限公司于美国华盛顿特区(Washington D.C.)举行的国际电子器件会议(International Electron Devices Meeting，IEDM)上共同发表七篇技术文章，报告双方通过恩智浦-台积电研究中心(NXP-TSMC Research Center)合作开发的半导体技术及制程方面的创新。

　　在会议中，恩智浦–台积电研究中心发表了创新的嵌入式存储技术，这与传统的非易失性存储器相较，速度最多可以快上1,000倍，同时也具备小尺寸及低功耗等优势，预估其功耗较目前的存储器至少小十分之一，制造成本也比一般的嵌入式存储器节省百分之五到十。此外，在使用近距无线通信技术(NFC，Near Field Communication)进行移动支付或数据传输时，此技术有助于避免数据干扰并可以增加数据传输的安全性。

　　另一个技术文章发表的是置换传统石英谐振器的创新突破，此技术可以在芯片中内建更小及更薄的定时器，而可以直接在智能卡或移动电话SIM卡芯片上内建定时器，进一步强化智能卡的加密保护功能。

　　此外，该研究中心也将发表在晶体管上的创新突破，报告新一代晶体管的效能以及其在多方面的应用。

　　恩智浦 –台积电研究中心于IEDM所发表的七篇技术文章其创新突破简介如下：

　　*提高晶体管频率 (High Frequency Breakthrough): A novel fully self-aligned SiGe:C HBT architecture featuring a single step epitaxial collector-base process

　　*简化便携产品应用的低耗电量CMOS制程 (Process Simplification for Low Power CMOS Processes for Portable Applications): Tuning PMOS Mo(O,N) metal gates to NMOS by addition of DyO capping layer

　　*新一代晶体管 (New Generation Transistor): Demonstration of high-performance FinFET devices featuring an optimized gatestack

　　*展现高效能CMOS制程 (Demonstration of High Performance Full CMOS Process): Low Vt CMOS using doped Hf-based oxides, TaC-based Metals and Laser-only Anneal

　　*创新的电路设计，大幅降低功耗百分之八十 (Reducing Power Consumption Effectively by 80%): Rapid circuit-based optimization of low operational power CMOS devices

　　*更快速、更省电、尺寸更小的嵌入式存储器 (Faster, Low Power, Scalable Embedded Memory): Evidence of the thermo-electric Thomson effect and influence on the program conditions and cell optimization in phase-range memory cells

　　*谐振器技术突破 (Resonator Technology Breakthrough): Scalable 1.1 GHz fundamental mode piezo-resistive silicon MEMS resonator