- 一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G、S两级之间，有结电容存在。这个电容会让驱动MOS变的不那么简单......
- 关键字：MOSMOSFET
- 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向车载充电器和DC/DC转换器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10个机型，该系列产品支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※2)，而且产品阵容丰富，拥有13个机型。 ROHM于2010年在全球率先成功实现SiC MOSFET的量产，在SiC功率元器件领域，ROHM始终在推动领先的产品开发和量产体制构建。在需求不断扩大的车载市场，ROHM也及时确立车载品质，并于2012年开始供应车载充电器用的SiC肖特
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- 2019年3月19日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，推出了两款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不间断电源及服务器电源。 这标志着安森美半导体壮大其全面且不断成长的SiC 生态系统，包括SiC二极管和SiC驱动器等互补器件，以及
- 关键字：安森美MOSFET
- 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品，在保持极快反向恢复时间(trr※1))的同时，提高设计灵活度，非常适用于空调、冰箱等白色家电的电机驱动以及EV充电桩。近日，该系列产品群又新增了“R60xxJNx系列”共30种机型。 此次开发的新系列产品与以往产品同样利用了ROHM独有的寿命控制技术，实现了极快的反向恢复时间(trr)。与IGBT相比，轻负载时的功耗成功减少了58%左右。另外，通过提高导通MOSFET所需要的电压水
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- Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商，产品涵盖广泛领域，包括独立、逻辑、模拟及混合讯号半导体市场。公司推出 NPN 与 PNP 功率双极晶体管，采用小尺寸封装 (3.3mm x 3.3mm)，可为需要高达 100V 与 3A 的应用提供更高的功率密度。新款 NPN 与 PNP 晶体管的尺寸较小，可在闸极驱动功率 MOSFET 与 IGBT、线性 DC-DC 降压稳压器、PNP LDO 及负载开关电路，提供更高的功率密度设计。
- 关键字：DiodesMOSFET
- 2019年3月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，将在3月17日-21日于加利福尼亚州阿纳海姆(Anaheim，California)举行的2019年国际应用电力电子展会(APEC)上展示其强大产品阵容。Vishay展位设在411展台，将展示适用于广泛应用领域的最新业内领先功率IC、无源器件、二极管和MOSFET技术。 在APEC 2019上展示的Vishay Siliconix电源IC包括SiC9xx microBR
- 关键字：VishayMOSFET
- 世纪金光是国内首家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业。产品基本覆盖了以碳化硅为代表的第三代半导体材料全产业链，包括：电子级碳化硅高纯粉料、碳化硅单晶衬底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模块和典型应用，形成了较为完整的产业链体系，正在大力进行垂直整合，全面推进从产业源头到末端的全链贯通。 主要应用 w高效服务器电源 w新能源汽车 w充电桩充电模组 w光伏逆变器 w工业电机 w智能电网 w航空航天 SiC MOSFET系列 产品覆盖额定电压650-1200V，额定电流30-92A，可满足多
- 关键字：新能源汽车MOSFET
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
- 关键字：碳化硅(SiC)MOSFET短路热模型
- 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver™ —— 这是一款市售可提供高效率、单通道碳化硅(SiC) MOSFET门极驱动器，可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。新品件经过设定后可支持不同的门极驱动电压，来满足市售SiC-MOSFET的需求;其主要应用包括不间断电源(UPS)、光伏系统、伺服驱动器、电焊机和电源。 SIC1182K可在125°C结温下提供8
- 关键字：Power IntegrationsSiC-MOSFET
- 专注于引入新品的全球半导体与电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货STMicroelectronics (ST) 的MDmesh™ M6系列 超结晶体管。MDmesh M6系列MOSFET针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计，可提高电池充电器、电源适配器、PC电源、LED照明驱动器、电信和服务器电源以及太阳能 微型逆变器等设备的功率密度。 贸泽电子供应的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效，从而增加功率密度。该系列
- 关键字：贸泽STMicroelectronicsMOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动器---VOD3120A，扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装，低压降输出电流损耗仅为3.5 mA，可用于提高逆变器级工作效率。 日前发布的光耦采用CMOS技术，含有集成电路与轨到轨输出级光学耦合的AIGaAs LED，为门控设备提供所需驱动电压。VOD3120电压和电流使
- 关键字：VishayMOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案，同时，栅极电荷下降60 %。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内最低水平，该参数是600 V MOSFET在功率转换应用中的关键指标 (FOM)。 Vishay
- 关键字：VishayMOSFET
- Filippo, Scrimizzi, 意法半导体, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com Giuseppe, Longo, 意法半导体, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com Giusy, Gambino, 意法半导体s, 意大利, giusy.gambino@st.com 摘要 意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统
- 关键字：意法半导体MOSFET
- 2019年1月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，将在1月16日-18日于东京有明国际展览中心举行的2019 Automotive World日本国际汽车展上，展示其全面丰富的车规产品。Vishay展位设在东5号馆E47-40，以“Think Automotive, Think Vishay”为主题展示各种车规产品，包括符合并优于AECQ认证标准的电容器、电阻器、电感器、二极管、MOSFET和光电产品。 Vishay亚
- 关键字：Vishay转换器MOSFET
- 意法半导体推出MDmesh™系列600V超结晶体管，该产品针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计。 针对软开关技术优化的阈值电压使新型晶体管非常适用于节能应用中的LLC谐振转换器和升压PFC转换器。电容电压曲线有助于提高轻载能效，最低16 nC的栅极电荷量(Qg)可实现高开关频率，这两个优点让MDmesh M6器件在硬开关拓扑结构中也有良好的能效表现。 此外，意法半导体最先进的M6超结技术将RDS(ON)电阻降至0.036Ω，有助于电池充电器、电源适配器、PC电源、LED照明驱
- 关键字：意法半导体MOSFET
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [
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