威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装，可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。
关键字：儒卓力 威世N-Channel MOSFET 封装
奈梅亨，2020年2月19日：安世半导体，分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家，今日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件，它树立了25 V、0.57 mΩ的新标准。该市场领先的性能利用安世半导体独特的NextPowerS3技术实现，并不影响最大漏极电流(ID(max))、安全工作区(SOA)或栅极电荷QG等其他重要参数。 很多应用均需要超低RDS(on)器件，例如OR
关键字：安世半导体 MOSFET RDS(on)
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8单体封装的——SiR680ADP，它是80 V TrenchFET? 第四代n沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率，从而节省能源，其导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数（FOM）为129 mW*nC，达到同类产品最佳水平。
关键字：SiR680ADP MOSFET Vishay
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型热增强型PowerPAK 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60 V共漏极器件，专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。日前发布的双片MOSFET在10V电压下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封装导通电阻最低的60
关键字：MOSFET N沟道
近日，分立、逻辑和 MOSFET 器件的专业制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用，栅极电压 (VGS) 为 +/- 20 V，工作温度范围为 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻（最大RDS(on) 仅为 60 mΩ）以及快速的开关切换；效率非常高。Nexperia氮化镓器件的目标是高性能要求的应用市场，包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源。Nexperi
关键字：Nexperia GaN FET 氮化镓功率器件 MOSFET 器件
功率 MOSFET也有两年多时间了，这方面的技术文章看了不少，但实际应用选型方面的文章不是很多。在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。
关键字：MOSFET 功率MOSFET
商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件，被广泛用于电源、电机驱动等电路设计。不过，这一成功也让MOSFET和IGBT体会到因成功反而受其害的含义。随着产品整体性能的改善，特别是导通电阻和开关损耗的大幅降低，这些半导体开关的应用范围越来越广。结果，市场对这些硅基MOSFET和IGBT的期望越来越高，对性能的要求越来越高。尽管主要的半导体研发机构和厂商下大力气满足市场要求，进一步改进MOSFET/ IGBT产品，但在某些时候，收益递减
关键字：SiC MOSFET 意法半导体
开关调节器中的快速开关瞬变是有利的，因为这显著降低了开关模式电源中的开关损耗。尤其是在高开关频率时，可以大幅提高开关调节器的效率。但是，快速开关转换也会带来一些负面影响。开关转换频率在20 MHz和200 MHz之间时，干扰会急剧增加。这就使得开关模式电源开发人员必须在高频率范围内，在高效率和低干扰之间找到良好的折衷方案。此外，ADI公司提出了创新的Silent Switcher®技术，即使是极快的开关边沿，也可能产生最小电磁辐射。图1.对开关模式电源进行开关转换，在开关节点处施加输入电压。图1显示了快速
关键字：开关 MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都），开发出6款沟槽栅结构※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品（650V／1200V耐压），非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。此次新开发的系列产品采用4引脚封装（TO-247-4L），可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装（TO-247N）相比，开关损耗可降低约35％，非常有助于进一步降低各种设备的功耗。另外，罗姆也已开始供应SiC MOSFET评估板“P02SCT304
关键字：SiC MOSFET
最近，由深圳市科学技术协会、坪山区人民政府、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导，青铜剑科技、深圳第三代半导体研究院、南方科技大学深港微电子学院主办，深圳基本半导体、深圳中欧创新中心承办的第三届“中欧第三代半导体高峰论坛”在深圳五洲宾馆成功举办。来自中国和欧洲的专家学者、企业高管、投资精英等近200名代表参会，围绕第三代半导体技术创新、产业发展、国际合作进行深入探讨与交流，加速第三代半导体材料国产化替代进程，助力国产半导体开辟一片新天地。深圳市科学技术协会党组书记林祥、深圳市坪山区科技创新局局长黄鸣出席论
关键字：碳化硅 二极管 MOSFET
Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出额定 40V 的 DMTH4008LFDFWQ 及额定 60V 的 DMTH6016LFDFWQ，两者均为符合车用规范的 MOSFET，采用 DFN2020 封装。这两款微型 MOSFET 仅占较大封装 (例如 SOT223) 10% 的 PCB 区域，可在直流对直流 (DC-DC) 转换器、LED 背光、ADAS 及其他「引擎盖下」的汽车应用之中，提供更高的功率密度。DMTH4008LFDFWQ 在 VGS = 10V 时的 RDS(ON) 标
关键字：MOSFET 汽车
中国，2019年7月29日——意法半导体VIPer26K发布高压功率转换器，集成一个1050V耐雪崩N沟道功率MOSFET，使离线电源兼备宽压输入与设计简单的优点。VIPer26K MOSFET具有极高的额定电压，无需传统垂直堆叠FET和相关无源元件，即可实现类似的电压处理能力，可采用尺寸更小的外部缓冲器元件。转换器内置漏极限流保护功能，MOSFET包含一个用于过温保护的senseFET引脚。单片集成高压启动电路、内部误差放大器和电流式PWM控制器，VIPER26K支持所有常见开关式电源拓扑，包括原边或副
关键字：电源 意法半导体 击穿电压最高的1050V MOSFET VIPer转换器
SiC(碳化硅)作为第三代半导体，以耐高压、高温和高频，在高性能功率半导体上显出优势。在应用中，在光伏和服务器市场最大，正处于发展中的市场是xEV（电动与混动汽车）。随着SiC产品特性越做越好，在需要更高电压的铁路和风电上将会得到更多的应用。 不过，制约SiC发展的，最主要的是价格，主要原因有两个，一个是衬底，一个是晶圆尺寸所限。例如晶圆尺寸越大，成本也会相应地下降，ROHM等公司已经有6英寸的晶圆片。在技术方面，众厂商竞争
关键字：SiC MOSFET
中美贸易战战火延烧，华为禁令事件已经让大陆业者火速要求逻辑IC供应链紧急备货，熟悉功率元件业者透露，除了巩固华为海思晶圆代工、封测代工供应链以及台系逻辑IC供应体系外，疯狂扫货力道已经蔓延到功率基础元件金氧半场效晶体管(MOSFET)。
关键字：华为 MOSFET 中美贸易战
Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers 作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德国 慕尼黑） 摘要：通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。 关键词：IGBT; MOSFET; 栅极驱动器；耐受性；隔离 &nb
关键字：201905 IGBT MOSFET 栅极驱动器 耐受性 隔离
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [
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