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Power Integrations发布集成了900V MOSFET的高效率反激式开关电源IC

  • 　　深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司今日发集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch™-XT2系列离线式开关电源IC。新IC的功率更大，适合设计8W以内的高效率隔离及非隔离反激式电源应用，适用于高达480VAC输入三相工业电源以及专供电网不稳定地区、时常遭受雷击的热带地区或者经常发生高能振荡波和浪涌的地区的高质量消费电子产品的电源设计。　　900V版LinkSwitch-XT2 IC产品系列可提供高效率，使电源设计轻松满足能源相关产品(ErP
  • 关键字：Power IntegrationsMOSFET

Power Integrations发布集成了900V MOSFET的高效率反激式开关电源IC

  • 　　深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司今日发集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch™-XT2系列离线式开关电源IC。新IC的功率更大，适合设计8W以内的高效率隔离及非隔离反激式电源应用，适用于高达480VAC输入三相工业电源以及专供电网不稳定地区、时常遭受雷击的热带地区或者经常发生高能振荡波和浪涌的地区的高质量消费电子产品的电源设计。　　900V版LinkSwitch-XT2 IC产品系列可提供高效率，使电源设计轻松满足能源相关产品(ErP
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Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

  • 　　Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充，也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。最终用户将受益于更加紧凑节能的系统以及潜在更低的总体拥有成本。　　碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000　　碳化硅MOSFET技术带来的高效性可为诸多要求严格的应用提供多
  • 关键字：LittelfuseMOSFET

宜特FSM化学镀服务本月上线，无缝接轨BGBM晶圆减薄工艺

  • 　　随电源管理零组件MOSFET在汽车智能化崛起后供不应求，为填补供应链中此一环节的不足，在半导体验证分析领域深耕多年的宜特科技，近期正式跨攻「MOSFET晶圆后端工艺整合服务」，其中晶圆减薄-背面研磨/背面金属化(简称BGBM，Backside Grinding/ Backside Metallization)工艺，在本月已有数家客户稳定投片进行量产，在线生产良率连续两月高于99.5%。　　同时为了协助客户一站式接轨BGBM工艺，在前端的正面金属化工艺(简称FSM)上，除了提供溅射沉积(Sputteri
  • 关键字：宜特MOSFET

MOSFET管并联应用时电流分配不均问题探究

  • 1 引言
    MOSFET管的导通电阻具有正的温度特性，可自动调节电流，因而易于并联应用。但由于器件自身参数(栅极电路参数及漏源极电路参数不一致)原因，并联应用功率MOSFET管会产生电流分配不均的问题，关于此问题，
  • 关键字：MOSFET并联电流分配

应用角：汽车 - 电动汽车电池断开系统

  • 　　在电动和混合动力汽车中，需要一种方法将高压电池与车辆的其他部分断开连接。专门设计的大电流继电器(接触器)历来一直是执行此功能的首选方案。此继电器的设计必须支持在负载下断开连接，而不受损坏。这是通过使用带有真空封装触点的继电器来实现的。这些接触器通常充满惰性气体，包围触点以消除空气。通常，在高压电池系统中，需要三个接触器：一个用于两个主要电池导体，另一个更小的版本用于预充电功能。传统的电池断开电路图如图1所示。　　电动汽车制造商长期以来一直希望有一种更小、更轻、更便宜的方案，以解决电池断开问题。功率半导
  • 关键字：MOSFET，混合动力

开关电源设计：何时使用BJT而非MOSFET？

  • MOSFET已经是是开关电源领域的绝对主力器件。但在一些实例中，与MOSFET相比，双极性结式晶体管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
  • 关键字：开关电源BJTMOSFET

教你看懂MOSFET数据表

  • 在看到MOSFET数据表时，你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、栅极电荷)，其它的一些参数会十分的含糊不清、模棱
  • 关键字：MOSFET数据电感器连续电流

大功率电源MOSMOSFET问题的分析

  • 本文主要介绍三极管原理最通俗的表达理解，希望对您的学习有所帮助。对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不
  • 关键字：MOSFET电源

大功率电源MOS工作温度确定之计算功率耗散

  • 在电子电路设计中，散热设计是非常重要的一项指标。但在很多设计环境下，空间的狭小程度限制了散热功能设计与发挥。在大功率电源MOSFET当中这种情况尤
  • 关键字：大功率电MOSFET功率耗散

功率MOSFET在集成驱动电路中的设计应用简析

  • 功率MOSFET目前在一些大中型开关电源的驱动电路中得到了广泛的应用，此前我们曾经为大家总结了几种MOSFET在驱动电路中的常见应用方式，在今天的文章中
  • 关键字：MOSFET驱动电路电源

干货!一种简易的MOSFET自举驱动电路设计分享

  • 功率开关器件MOSFET在驱动电路中的应用频率在最近几年直线上升，在一些中小功率的开关电源产品中，利用MOSFET完成驱动电路的设计不仅省时省力，还具有
  • 关键字：MOSFET驱动电路设计

同步整流降压式DC-DC变换器应怎样选择MOSFET?

  • 功率器件MOSFET在很多电路系统的设计中都得到了广泛的应用，而对于同步整流降压式的DC-DC变换器来说，怎样选择合适的MOSFET则是非常重要的一环，需要研
  • 关键字：MOSFET同步整流DC-DC

MOSFET开关损耗分析

  • 摘要：为了有效解决金属一氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET栅极电荷、极间
  • 关键字：MOSFET带电插拔缓启动开关损耗

6种IGBT中的MOS器件隔离驱动入门

  • 由于不间断电源的兴起，IGBT技术得以飞速发展。IGBT的特点是具有电流拖尾效应，因此在关断的瞬间对于抗干扰的性能要求非常严格，需要负压驱动进行辅助
  • 关键字：MOSFETIGBT隔离驱动
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mosfet介绍

　　金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [ 查看详细]

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