台积电发力“硅基氮化镓”元件受托业务

　　台湾台积电(TSMC)在“ISPSD 2016”上公开了受托生产服务的蓝图及试制元件的特性等。该公司将采用在直径150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN层的“硅基氮化镓”(GaNon Si)技术生产GaN晶体管。

台积电打算开展受托生产的GaN晶体管有三种类型：(1)常开型(Normal On)MISFET、(2)常开型HEMT、(3)常关型(Normal Off)。按耐压高低来分有40V、100V和650V产品。

　　其中，耐压650V的常关型HEMT已开始受托生产。台积电在演讲中介绍了该元件的特性。在运行时导通电阻会升高的崩溃(Collapse)特性方面，仅为运行前电阻值的1.3～1.4倍。

　　此外，关于常关型HEMT，台积电将于2016年6月开始受托生产耐压100V的产品。关于常开型HEMT，该公司预定从2016年9月开始受托生产耐压100V的产品。常开型MISFET方面，预定从2016年6月开始受托生产耐压650V的产品和耐压100V的产品。

　　目前台积电设想使用直径150mm的硅基板，将来还打算使用更大尺寸的基板。该公司的演讲者表示，“具体情况不便透露，3年后也许可以使用200mm(8英寸)基板”。