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特斯拉明年将采用台积电3nm芯片

作者: 时间:2023-12-28 来源:SEMI 收藏

据外媒,除了传统客户联发科、AMD、英伟达、英特尔、高通外,也已确认参与(TSMC)明年的NTO芯片设计定案(New Tape-Outs,NTOs)。报道称,成为N3P的客户也表明,其打算利用该尖端技术生产下一代全(FSD)智能驾驶芯片。

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/202312/454310.htm

据了解,N3P工艺计划预计在2024年投产,与N3E工艺相比,N3P的性能提高5%,功耗降低5%到10%,芯片密度提高1.04倍。台积电表示,N3P的性能、功耗和面积(PPA)指标,以及技术成熟度,都超过了英特尔的18A工艺。



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