近日，比利时微电子研究中心(IMEC)发表1纳米以下制程蓝图，分享对应晶体管架构研究和开发计划。外媒报导，IMEC制程蓝图显示，FinFET晶体管将于3纳米到达尽头，然后过渡到Gate All Around(GAA)技术，预计2024年进入量产，之后还有FSFET和CFET等技术。△Source：IMEC随着时间发展，转移到更小的制程节点会越来越贵，原有的单芯片设计方案让位给小芯片(Chiplet)设计。IMEC的制程发展愿景，包括芯片分解至更小，将缓存和存储器分成不同的晶体管单元，然后以3D排列堆叠至其
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据媒体引述半导体设备业者表示，2023全年，台积电3nm产能仍以N3（N3B）为主，整体良率接近75%。根据报道，由于台积电3nm在PPA表现下与4nm差异不大，且3nm报价涨至2万美元，只有苹果有8折优惠，目前有多家客户已修正制程规划，调整投片与订单，包括拉长4/5nm世代周期，放缓N3E、N3P采用进度，等待2nmGAA制程世代再重押。报道称，虽然台积电产能布局可能被打乱，但客户黏着度更高，对于2nm GAA世代相当有信心，已采用4/3nm的客户，几乎皆有2nm投片规划。从3nm工艺上看，台积电曾表示
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三星似乎已经解决了4nm工艺的一系列障碍。据Digitimes报道，三星在第三代4nm工艺的进步可能超出外界预期，从之前的60%提高到70%以上。
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此次合作将首先聚焦于移动SoC的设计，未来有望扩展到汽车、物联网、数据中心、航空和政府应用领域。此次合作也代表半导体行业两个巨头之间产生新的重要合作关系，有可能对全球芯片制造市场产生重大影响。
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本周，Intel在IEDM大会期间，公布了新的制程工艺路线图。内容显示Intel 4/3/20A均按部就班推进，且18A（相当于友商1.8nm）更是提前到了2024下半年准备投产。据悉，Intel 4相当于友商4nm，也就是Intel此前口径中的7nm，它会导入先进的EUV光刻技术，并在14代酷睿Meteor Lake上首发。Meteor Lake（流星湖）也会是Intel第一款采用多芯片混合封装技术的处理器，GPU核显单元预计将由台积电3nm/5nm代工。活动上，Inte副总裁、技术开发总经理Ann K
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研调机构预估，全球AR／VR产品出货量至2026年上看5,050万台，2022年至2026年年均复合成长率为35.1％。法人表示，AR／VR智能穿戴装置为目前进入元宇宙世界的唯一入口，而元宇宙又是上网、通讯、影像传输、运算等功能的集大成应用，PCB涵盖到元宇宙多个端点，预期如软板、HDI、软硬结合板、ABF载板都在受惠行列。尽管元宇宙相关AR／VR智能穿戴装置仍未普及，但不少科技巨擘或零组件厂积极抢进，如Meta、Sony、hTC、微软等，一些PCB供货商也看好明年元宇宙穿戴会是不错的成长动能来源。工研院
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据国外媒体报道，苹果在今年下半年将举行两场新品发布会，第一场在9月份举行，重点是iPhone 14系列智能手机以及新款Apple Watch；第二场则将在10月份举行，以Mac和iPad为主。之前预测对于下半年的第二场新品发布会，苹果将推出的新品预计会有MacBook Pro和iPad Pro，其中MacBook Pro搭载的，预计是苹果自研、由台积电代工采用3nm制程工艺的芯片。但在苹果产品预测方面有很高准确性的分析师郭明錤，近日给出了让外界失望的预期，苹果即将发布的14/16英寸MacBook Pro
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消息称英特尔CEO Pat Gelsinger可能会在8月份前往台积电，与台积电的高层会晤，主要是对明年的3nm产能计划进行“紧急修正”。英特尔原计划2022年底量产第14代Meteor Lake，并于2023年上半年推出，如今有消息称将延后到2023年底。作为英特尔GPU绘图芯片代工企业，台积电的3nm制程的计划将受到影响。据报道，英特尔内部已开始紧急修正未来一年的平台蓝图以及自家制程产能计划。一直有消息称，英特尔将使用台积电的N3工艺生产GPU，比如独立显卡使用的GPU以及Meteor Lake的GP
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根据TrendForce集邦咨询资料显示，2022年全球晶圆代工产能年增约14%，其中八英寸产能因扩产较不符合成本效益，增幅远低于整体产业平均，年增约6%，而十二英寸年增幅则为18%。其中，十二英寸新增产能当中约65%为成熟制程（28nm及以上），该制程产能年增率达20%，显见2022年各晶圆代工厂多半将扩产重心放置于十二英寸晶圆产能，且以成熟制程为主轴，而主要扩产动能来自于台积电（TSMC）、联电（UMC）、中芯国际（SMIC）、华虹集团（HuaHong Group）旗下HHGrace，以及合肥晶合集成
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据国外媒体报道，推进3nm制程工艺今年下半年量产的台积电，在更先进的2nm制程工艺的研发方面已取得重大进展，预计在明年年中就将开始风险试产 —— 也就意味着台积电2nm制程工艺距量产又更近了一步。业界估计，台积电2nm试产时间点最快在2024年，并于2025年量产，之后再进入1nm以及后续更新世代的“埃米”制程。台积电去年底正式提出中科扩建厂计划，设厂面积近95公顷，总投资金额达8000亿至10000亿元新台币，初期可创造4500个工作机会。以投资规模及近百公顷设厂土地面积研判，除了规划2nm厂
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5月25日，有消息传出，华为将在VLSI Symposium 2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术。随着“摩尔定律”走向极限，DRAM芯片工艺提升将愈发困难。3D DRAM就成了各大存储厂商突破DRAM工艺极限的新方案。DRAM工艺的极限目前，DRAM芯片最先进的工艺是10nm。据公开资料显示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出货；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM产品的量产。那么，10nm是DRAM工艺的极限吗？在回答这个问题之前，我
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在2021开放创新平台（OIP）生态系统论坛上，台积电（TSMC）宣布推出N4P工艺，这是以目前5nm制程节点为基础，以性能为重点的增强型工艺。采用N4P技术生产的首批产品预计于2022年下半年完成产品设计定案。N4P制程工艺的推出强化了台积电的先进逻辑半导体技术组合，其中的每项技术皆具备独特的效能、功耗效率以及成本优势。经过优化的N4P可提供高性能运算（HPC）与移动设备应用一个更强化且先进的技术平台。N4N4P是继N5、N4后，台积电5nm家族的第三个主要强化版本。台积电称，N4P的性能较原先的N5增
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当前困扰业界的芯片缺货何时结束？哪种半导体制程会是主流？哪类芯片产品发展最好？半导体的投资热点有哪些？中国市场的动向如何？“成熟工艺+ 先进封装”可否达到先进工艺的产品性能？2021 年6 月底，Gartner研究副总裁盛陵海向电子产品世界等媒体做了详细的分析。Gartner研究副总裁盛陵海1 全球芯片制造市场1.1 缺货的原因及何时结束1）缺货的原因最近半导体产业经历了20 年以来最为严重的缺货情况。造成缺货的原因既包含偶然因素，也有必然因素。● 偶然因素
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7月27日，英特尔召开制程工艺和封装技术线上发布会，英特尔CEO帕特·基辛格表示，英特尔正在通过半导体制程工艺和封装技术来实现技术的创新，并公布有史以来最详细的制程工艺和封装技术发展路线。
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台积电与三星在7纳米以下先进制程竞争激烈，据外媒报导，传出三星放弃4纳米制程，直接从5纳米杀进3纳米，跟台积电正面对决，至于台积电5纳米今年第2季已量产，而三星5纳米明年初才可能放量生产，可见台积电技术仍领先三星1年。台积电近几年在先进制程领先业界，7纳米和5纳米率先量产，国际大客户抢著下单，产能更是满载，从2016年起，连续为苹果独家代工A系列处理器。三星虽然曾为苹果A系列处理器代工，但2015年苹果iPhone 6s系列采用A9处理器，由三星14纳米製程打造，在耗能方面竟高于台积电16纳米所生
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