NAND Flash供需出现进一步紧绷的状况。究其原因，除年底旺季需求增加外，最大厂之Samsung工厂3日发生停电事故，导致市场产生供给量减少之预期亦是主因。然而合约价部份，由于厂商仍存在过度上涨，可能造成需求冷却之疑虑。因此，即使上涨也应止于小幅上扬。 Samsung之京畿道器兴市主力工厂3日发生大规模停电，生产NAND Flash等之6条生产线全部停止运转。虽然4日恢复运转，但原本部份制造中的产品将废弃。现阶段Samsung与市场上仍有一定库存量，9月份实际供给
关键字：三星 NAND 闪存
据闪存技术的最大支持者之一称，闪存将“接管”整个世界。 本周三，SanDisk CEO Eli Harari在“闪存峰会”上说，一方面，NAND闪存正在打跨竞争对手。NAND已经使1英寸硬盘失去了用武之地，现在，它又对1.8英寸，甚至是更大的2.5英寸笔记本电脑硬盘构成了威胁。 他说，NAND下一个大市场将是视频，明年，市场上将会出现配置了更多闪存的相机和拍照手机。明年，市场上还将出现更多的闪存笔记本电脑。 在未来的5-7年内，NAND还将开始取代DRAM。由于技
关键字：NAND 闪存
2007年NAND Flash价格走势戏剧化，但对下游厂商而言，可谓是几家欢乐几家愁，一线快闪记忆卡大厂乐得NAND Flash价格止跌反弹，终止长达1年的惨淡经营时期；然对于产业中的二、三线记忆卡厂而言，这波NAND Flash价格大涨的行情，反而不是什么好消息。因为小厂的拿货能力有限，当上游NAND Flash大厂供给一夕大减，连一线大厂都不见得拿得到足够的货源时，等于是宣判小厂正式出局！ 业界表示，这波NAND Flash价格上涨除了是苹果(Ap
关键字：NAND 闪存 消费电子
集邦科技昨天公布第二季全球NAND Flash销售排名，南韩三星(Samsung)第二季市占率达43.9%，稳居全球龙头宝座，日本东芝 (Toshiba)居次，海力士 (Hynix)位居第三；包括三星等前三大厂合计市占率达85.5%，市场集中度高。集邦科技表示，第二季由于制造商暂缓产能扩充计划，加上大厂们新制程技术转换仍处调整期，因此整体NAND Flash位产出量仅维持与第一季相当水平，不过受惠于产品价格止跌大幅弹升1成以上水平，带动NANDFlash制造厂销售
关键字：三星 NAND 闪存
NOR 和NAND 是闪存(Flash Memory)的两大主要类型，强调可靠性的NOR 主要用途在于应用程序和操作系统储存(Code Storage)，成本较低的NAND 则主要使用于数据储存(Data Storage)方面，近来由于手机、数字相机、数字音乐播放机、可携式媒体播放机(PMP)、机顶盒(STB)等终端产品的需求旺盛，带动两者销售量持续成长，尤其NAND 在苹果计算机推出的数字音乐播放机iPod 热卖
关键字：NAND 内存
闪存的合约价格在7月下半月继续上涨，不过目前涨势已经逐渐减缓。DRAM厂商预计第三季度价格将轻微上涨，同时出货量也大幅提升了。同时，NAND目前价格也呈现上升趋势，这主要得益于闪存应用范围的不断拓展。 DRAM报价一片涨声 根据内存交易机构DRAMeXchange（集邦电子）的数据，在7月上半月，512Mb DDR2芯片的合约价格上涨了20%以上，不过7月下半月的上涨幅度回落到了3%。 DRAMeXchange表示，目前一些PC OEM厂商向DRAM厂商索要报价
关键字：NAND DRAM 闪存
集邦科技表示，手机及MP3/PMP播放器是今年耗用NAND Flash产能最多的前两大终端装置，合计使用的NAND Flash将占市场需求端的一半以上，达52.1%，将是左右NAND Flash市场供需的关键。集邦科技指出，手机将是今年NAND Flash最大应用市场，所占比重达27.3%，MP3/PMP播放器次之，约占24.8%；其中MP3/PMP播放器市场，iPod全球市占率超过一半以上，Apple因而是影响市场供需的关键厂商。至于手机市场方面，由于NAND&n
关键字：NAND 闪存 消费电子
NAND型快闪存储器(Flash)终端需求快速扩散，从过去由数码相机(DSC)独霸应用端型态，近期已转变成MP3播放器、手机、DSC金三角撑起一片天局面，3者合计占NAND Flash应用达80%，随身碟应用则紧追在后；值得注意的是，自2007年第3季起，由于插卡式手机快速普及，使得手机占NAND Flash应用比重已正式超过MP3播放器。 目前NAND Flash应用主要包括DSC、MP3播放器、手机、随身碟和其它应用，其中，DSC、MP3播放器、手机等3项领域共占
关键字：NAND 闪存 消费电子
根据内存市场研究公司集邦科技(DRAMeXchang)所发表的最新报告，七月上旬NAND Flash合约价出炉；SLC市场供给吃紧、合约价大涨，平均涨幅约15%~30%。而根据集邦的研究数据来观察，整体NAND Flash需求将在本季超过供给，下半年NAND Flash产出将供不应求。 在MLC部分，集邦表示，因供货商持续将产能转往8Gb以上的产品，另外加上iPhone题材所带来的预期心理，4Gb产出日益降低而大涨30%，高容量MLC也顺势涨了
关键字：NAND 内存 存储器
集邦科技最新报告指出，伴随需求持稳放大，加上DRAM、FLASH产能供给调整趋于平衡，NAND FLASH浮现供给缺口迹象，七月上旬NANDFLASH合约报价，SLC大涨15％至30％之多％。集邦认为，依照当前掌握数据观察，整体NAND Flash需求将在第三季超过供给，下半年NAND Flash将供不应求，第三季、第四季供给缺口各约0.3％、1.5％。 模块厂劲永指出，Flash第二季初仍持续下跌，因上游国际大厂SLC及MLC制程转换影响，五月份下旬价格才开始缓步
关键字：NAND 闪存
NAND flash方面，由于iPhone内部使用的NAND flash颗粒是以三星（Samsung）的产品为主，所以三星的NAND flash营收也将因iPhone的热卖而直接受益。集邦科技预估iPhone今年下半年出货量至少约在400万支左右，而2008年iPhone的出货量将占全球手机市场的1%左右，到达1200万支。倘若iPhone今年下半年4GB和8GB的出货比重相同，则iPhone耗用NAND flash的数量为192mn (1Gb的颗粒为单位
关键字：iPhone NAND 闪存
NAND型闪存(Flash)供应端下半年恐将拉警报，造成供货严重不足主因，除英特尔(Intel)为抢进50nm制程，决定既有采用78nm制程所生产NAND Flash将暂不供应下游客户端，还有三星电子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)亦为强化整体竞争力，被迫将产能加速转进至50nm主流制程，加上为供应苹果(Apple)下半年庞大订单，还必须挪出部分采70nm制程产能，在产能两头烧情况下，亦无力满足下游客户订单需求，因此，业界纷预期2007年下半全球NA
关键字：NAND 闪存
全球NAND型闪存(Flash)大厂美光(Micron)近来针对全球NAND Flash市场未来发展发出警语表示，目前NAND Flash厂制程技术发展相当快速且先进，但微影技术无法跟上NAND Flash厂发展，尤其令人感到惊讶的是，微影设备商技术竟远落后NAND Flash大厂数年，几家NAND Flash厂商为于未来顺利发展，还必须领先微影设备商，自行开发一些相关技术。 近来全球各大DRAM厂为能有效运用旗下晶圆厂，加上NAND&
关键字：NAND 闪存 美光 Micron
根据国外媒体报导， NAND闪存市场上的竞争业者，包括Hynix、IM Flash与Toshiba等，最近都悄悄增加产量，并且准备推出45nm以下的产品。这个领域的供货商不但在程序技术上激烈竞争，也在准备因应市场上新的需求与产品的周期。市面上逐渐出现需要NAND的新应用，例如flash BIOS、solid-state storage与具备DVR功能，采用闪存的电视机。NAND业者最近动作频仍，市场领导供货商Samsung Electronics展示了一款30-nm NAND组件，第二大供货商 Toshi
关键字：NAND 闪存
NAND闪存产业风水轮流转，变化相当快速，原本第一季度头号存储卡厂商SanDisk还被第二名的金士顿（Kingston）苦苦追赶，饱受价格大跌之苦，然经过这一波缺货潮的洗礼之后，SanDisk成为了闪存存储卡产业中的最大赢家。从上游NAND闪存晶圆，到终端成品制造一条鞭掌握的模式，在缺货时期的优势发挥淋漓尽致。 SanDisk2007年第一季度受到NAND闪存价格大跌、终端需求疲弱不振的影响，财报出现了赤字，SanDisk在2007年第一季度净亏损57.5万美元，每股刚好损益平衡，第二季度受到了NAND闪
关键字：NAND 闪存 存储器
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